- 63B01Y0E76P

63B01Y0E76P
제조업체 부품 번호
63B01Y0E76P
제조업 자
-
제품 카테고리
다른 반도체 - 1
간단한 설명
63B01Y0E76P INTEL DIP64
데이터 시트 다운로드
다운로드
63B01Y0E76P 가격 및 조달

가능 수량

31340 조각

배송 오늘


창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주

시장 가격
N/A
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 63B01Y0E76P 재고가 있습니다. 우리는 - 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 - 전자 부품 전문. 63B01Y0E76P 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. 63B01Y0E76P가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
63B01Y0E76P 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
63B01Y0E76P 매개 변수
내부 부품 번호EIS-63B01Y0E76P
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
시리즈63B01Y0E76P
EDA/CAD 모델-
종류전자 부품
공차-
풍모-
작동 온도-
정격 전압-
정격 전류-
최종 제품-
포장 종류DIP64
무게0.001 KG
대체 부품 (교체) 63B01Y0E76P
관련 링크63B01Y, 63B01Y0E76P 데이터 시트, - 에이전트 유통
63B01Y0E76P 의 관련 제품
1MHz ~ 220MHz LVDS MEMS (Silicon) Programmable Oscillator Surface Mount 3.3V 85mA Enable/Disable SIT9002AI-28H33EX.pdf
RES 2.4K OHM 15W 10% AXIAL CP00152K400KE66.pdf
Photodiode 580nm 30° Radial, Lensed Metal Can, TO-46-2 VTB1113BH.pdf
1N647-1JANTXV MICROSEMI original pack 1N647-1JANTXV.pdf
MNC103DP N/A DIP MNC103DP.pdf
7C199-15VCGG CY SOJ-28L 7C199-15VCGG.pdf
EBM160808A102 ORIGINAL SMD or Through Hole EBM160808A102.pdf
MZX8545EUB MAX MSOP MZX8545EUB.pdf
AI0502842 ORIGINAL SMD or Through Hole AI0502842.pdf
BUP040 FH-C QFP BUP040.pdf
1SV284 TEL:82766440 Toshiba SMD or Through Hole 1SV284 TEL:82766440.pdf
M391B5673FH0-CH9 (DDR3 2G/1333 ECC dimm) Samsung SMD or Through Hole M391B5673FH0-CH9 (DDR3 2G/1333 ECC dimm).pdf