창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-636L3C027M00000 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 636 Model | |
| 제품 교육 모듈 | Crystal Clock Oscillators | |
| 특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | 636 Series RoHS Cert | |
| 종류 | 수정 및 발진기 | |
| 제품군 | 발진기 | |
| 제조업체 | CTS-Frequency Controls | |
| 계열 | 636 | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 유형 | XO(표준) | |
| 주파수 | 27MHz | |
| 기능 | 활성화/비활성화 | |
| 출력 | HCMOS, TTL | |
| 전압 - 공급 | 3.3V | |
| 주파수 안정도 | ±50ppm | |
| 작동 온도 | -20°C ~ 70°C | |
| 전류 - 공급(최대) | 16mA | |
| 등급 | - | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 크기/치수 | 0.197" L x 0.126" W(5.00mm x 3.20mm) | |
| 높이 | 0.051"(1.30mm) | |
| 패키지/케이스 | 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | |
| 전류 - 공급(비활성화)(최대) | 10µA | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 다른 이름 | CTX1008TR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 636L3C027M00000 | |
| 관련 링크 | 636L3C027, 636L3C027M00000 데이터 시트, Tusonix a Subsidiary of CTS Electronic Components 에이전트 유통 | |
![]() | LP050F35IET | 5MHz ±30ppm 수정 20pF 80옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | LP050F35IET.pdf | |
![]() | PDTC124TMB,315 | TRANS PREBIAS NPN 250MW 3DFN | PDTC124TMB,315.pdf | |
![]() | 4403-003LF | 2700pF Feed Through Capacitor 100V 10A Axial, Bushing | 4403-003LF.pdf | |
![]() | SA25C512LEMNF | SA25C512LEMNF SAIFUN DFN8-5 6 | SA25C512LEMNF.pdf | |
![]() | ASP2PLB5LB24 | ASP2PLB5LB24 Sensata SMD or Through Hole | ASP2PLB5LB24.pdf | |
![]() | BD82H65 | BD82H65 Intel BGA | BD82H65.pdf | |
![]() | HN8022VG | HN8022VG MINGTEK DIP | HN8022VG.pdf | |
![]() | HBLXT9785HC.C2 | HBLXT9785HC.C2 INTEL SMD or Through Hole | HBLXT9785HC.C2.pdf | |
![]() | MR1209FL | MR1209FL MOT SMD or Through Hole | MR1209FL.pdf | |
![]() | BZX85C11V | BZX85C11V ST DO-41 | BZX85C11V.pdf | |
![]() | IRFS641N15D | IRFS641N15D IR SMD or Through Hole | IRFS641N15D.pdf |