창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-601D109F025JS3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 601D Series | |
| 종류 | 커패시터 | |
| 제품군 | 알루미늄 커패시터 | |
| 제조업체 | Vishay Sprague | |
| 계열 | 601D | |
| 포장 | 벌크 | |
| 정전 용량 | 10000µF | |
| 허용 오차 | -10%, +50% | |
| 정격 전압 | 25V | |
| 등가 직렬 저항(ESR) | 27m옴 @ 120Hz | |
| 수명 @ 온도 | 2000시간(105°C) | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 105°C | |
| 분극 | 극성 | |
| 응용 제품 | 범용 | |
| 리플 전류 | 7.15A @ 120Hz | |
| 임피던스 | - | |
| 리드 간격 | - | |
| 크기/치수 | 1.000" Dia x 3.125" L(25.40mm x 79.38mm) | |
| 높이 - 장착(최대) | - | |
| 표면 실장 면적 크기 | - | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | 축방향, CAN | |
| 표준 포장 | 35 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 601D109F025JS3 | |
| 관련 링크 | 601D109F, 601D109F025JS3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
| BY228-15TAP | DIODE AVALANCHE 1.2KV 3A SOD64 | BY228-15TAP.pdf | ||
![]() | NAX667EPA | NAX667EPA MAXIM DIP | NAX667EPA.pdf | |
![]() | D75P008G3 | D75P008G3 NEC DIP8 | D75P008G3.pdf | |
![]() | M58LW32D | M58LW32D ORIGINAL BGA | M58LW32D.pdf | |
![]() | P8392CV-1 | P8392CV-1 ORIGINAL PLCC-28 | P8392CV-1.pdf | |
![]() | BIR-BON3V1J | BIR-BON3V1J BRIGHT ROHS | BIR-BON3V1J.pdf | |
![]() | 87C809BMG-4N32 | 87C809BMG-4N32 TOS SOP | 87C809BMG-4N32.pdf | |
![]() | 25I-43NG2-WL100 | 25I-43NG2-WL100 ORIGINAL SMD or Through Hole | 25I-43NG2-WL100.pdf | |
![]() | QM75TX-H2-201 | QM75TX-H2-201 ORIGINAL SMD or Through Hole | QM75TX-H2-201.pdf | |
![]() | WR12X100JT | WR12X100JT WALSI SMD or Through Hole | WR12X100JT.pdf | |
![]() | QFN19 | QFN19 Infineon SOT-89 | QFN19.pdf |