창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-600S4R3AW250XT | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 600S Series | |
| 종류 | 커패시터 | |
| 제품군 | 세라믹 커패시터 | |
| 제조업체 | American Technical Ceramics | |
| 계열 | ATC 600S | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 정전 용량 | 4.3pF | |
| 허용 오차 | ±0.05pF | |
| 전압 - 정격 | 250V | |
| 온도 계수 | C0G, NP0 | |
| 실장 유형 | 표면실장, MLCC | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 125°C | |
| 응용 제품 | RF, 마이크로웨이브, 고주파수 | |
| 등급 | - | |
| 패키지/케이스 | 0603(1608 미터법) | |
| 크기/치수 | 0.063" L x 0.032" W(1.60mm x 0.81mm) | |
| 높이 - 장착(최대) | - | |
| 두께(최대) | 0.035"(0.89mm) | |
| 리드 간격 | - | |
| 특징 | 높은 Q값, 저손실, 초저 ESR | |
| 리드 유형 | - | |
| 표준 포장 | 4,000 | |
| 다른 이름 | 600S4R3AW 600S4R3AWDRB 600S4R3AWDRN ATC600S4R3AW250XT | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 600S4R3AW250XT | |
| 관련 링크 | 600S4R3A, 600S4R3AW250XT 데이터 시트, American Technical Ceramics 에이전트 유통 | |
![]() | 63PK47MEFC6.3X11 | 47µF 63V Aluminum Capacitors Radial, Can 2000 Hrs @ 85°C | 63PK47MEFC6.3X11.pdf | |
| UBT2D330MHD | 33µF 200V Aluminum Capacitors Radial, Can 2000 Hrs @ 125°C | UBT2D330MHD.pdf | ||
![]() | P160R-154GS | 150µH Unshielded Inductor 134mA 6.8 Ohm Max Nonstandard | P160R-154GS.pdf | |
![]() | CC8468 | CC8468 PHI SMD or Through Hole | CC8468.pdf | |
![]() | 12N60L-TF3-T | 12N60L-TF3-T UST SMD or Through Hole | 12N60L-TF3-T.pdf | |
![]() | M74LS123P | M74LS123P MIT DIP | M74LS123P.pdf | |
![]() | TMS4116-15JDL | TMS4116-15JDL TI DIP | TMS4116-15JDL.pdf | |
![]() | EP2A40F672C6N | EP2A40F672C6N ALTERA BGA | EP2A40F672C6N.pdf | |
![]() | MDM29DL400TC90PFTN | MDM29DL400TC90PFTN FUJITSU SMD or Through Hole | MDM29DL400TC90PFTN.pdf | |
![]() | K6L0908C2A-TB70 | K6L0908C2A-TB70 Samsung TSOP32 | K6L0908C2A-TB70.pdf | |
![]() | GOFORCE-4800-A2 | GOFORCE-4800-A2 NVIDIA BGA | GOFORCE-4800-A2.pdf |