창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-6.3V68UF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | 6.3V68UF | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | SMD or Through Hole | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | 6.3V68UF | |
| 관련 링크 | 6.3V, 6.3V68UF 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
![]() | 12062A0R5DAT2A | 0.50pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | 12062A0R5DAT2A.pdf | |
![]() | 416F271X3IKR | 27.12MHz ±15ppm 수정 8pF 200옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F271X3IKR.pdf | |
| BAV303-TR3 | DIODE GEN 200V 250MA MICROMELF | BAV303-TR3.pdf | ||
![]() | RE1206FRE073KL | RES SMD 3K OHM 1% 1/4W 1206 | RE1206FRE073KL.pdf | |
![]() | 5134222 | 5134222 ORIGINAL QFP | 5134222.pdf | |
![]() | GEFORCE GTS150 1GB DDR3 ATX | GEFORCE GTS150 1GB DDR3 ATX NVIDIAGEFORCE SMD or Through Hole | GEFORCE GTS150 1GB DDR3 ATX.pdf | |
![]() | ECHA201VSN821MA25S | ECHA201VSN821MA25S NIPPONCHEMI-COM DIP | ECHA201VSN821MA25S.pdf | |
![]() | NM1418 | NM1418 ORIGINAL SOP | NM1418.pdf | |
![]() | IDT7MMV4103S150BG | IDT7MMV4103S150BG ORIGINAL SMD or Through Hole | IDT7MMV4103S150BG.pdf | |
![]() | HCGHA1H154Y | HCGHA1H154Y HITACHI SMD or Through Hole | HCGHA1H154Y.pdf | |
![]() | SL1-A | SL1-A HoneywellSensingandControl SMD or Through Hole | SL1-A.pdf |