창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
내부 부품 번호 | EIS-5N60G-B TO-252 T/R | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
시리즈 | 5N60G-B TO-252 T/R | |
EDA/CAD 모델 | - | |
종류 | 전자 부품 | |
공차 | - | |
풍모 | - | |
작동 온도 | - | |
정격 전압 | - | |
정격 전류 | - | |
최종 제품 | - | |
포장 종류 | SMD or Through Hole | |
무게 | 0.001 KG | |
대체 부품 (교체) | 5N60G-B TO-252 T/R | |
관련 링크 | 5N60G-B TO, 5N60G-B TO-252 T/R 데이터 시트, - 에이전트 유통 |
1210PC102KAT1A | 1000pF 250V 세라믹 커패시터 X7R 1210(3225 미터법) 0.126" L x 0.098" W(3.20mm x 2.50mm) | 1210PC102KAT1A.pdf | ||
2220HC102MAT1A | 1000pF 3000V(3kV) 세라믹 커패시터 X7R 2220(5750 미터법) 0.224" L x 0.197" W(5.70mm x 5.00mm) | 2220HC102MAT1A.pdf | ||
MKP383516100JPI2T0 | 1.6µF Film Capacitor 350V 1000V (1kV) Polypropylene (PP), Metallized Radial 1.654" L x 1.181" W (42.00mm x 30.00mm) | MKP383516100JPI2T0.pdf | ||
FOXSDLF/0368-20 | 3.6864MHz ±30ppm 수정 20pF 200옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | FOXSDLF/0368-20.pdf | ||
COP8CDE9HVA8 | COP8CDE9HVA8 NSC PLCC-44 | COP8CDE9HVA8.pdf | ||
PSB21525NV2.1-HSCXTE | PSB21525NV2.1-HSCXTE INF Call | PSB21525NV2.1-HSCXTE.pdf | ||
LTC3534EGN#PBF | LTC3534EGN#PBF LT SSOP | LTC3534EGN#PBF.pdf | ||
RN2306YFTE85L | RN2306YFTE85L TOSHIBA SMD or Through Hole | RN2306YFTE85L.pdf | ||
MCI0805H470MT-T | MCI0805H470MT-T AEM SMD | MCI0805H470MT-T.pdf | ||
GM66015-ATA3T | GM66015-ATA3T GAMMA TO-263 | GM66015-ATA3T.pdf | ||
CL10J225KQ8N3NC | CL10J225KQ8N3NC SAMSUNG SMD | CL10J225KQ8N3NC.pdf | ||
TLC75241NSR | TLC75241NSR TI SMD or Through Hole | TLC75241NSR.pdf |