창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
내부 부품 번호 | EIS-54AC165DMQB | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
시리즈 | 54AC165DMQB | |
EDA/CAD 모델 | - | |
종류 | 전자 부품 | |
공차 | - | |
풍모 | - | |
작동 온도 | - | |
정격 전압 | - | |
정격 전류 | - | |
최종 제품 | - | |
포장 종류 | DIP | |
무게 | 0.001 KG | |
대체 부품 (교체) | 54AC165DMQB | |
관련 링크 | 54AC16, 54AC165DMQB 데이터 시트, - 에이전트 유통 |
![]() | ISC1210ER820K | 82µH Shielded Wirewound Inductor 85mA 11 Ohm Max 1210 (3225 Metric) | ISC1210ER820K.pdf | |
![]() | CPF0603B5R9E1 | RES SMD 5.9 OHM 0.1% 1/16W 0603 | CPF0603B5R9E1.pdf | |
![]() | CSR2010FT50L0 | RES SMD 0.05 OHM 1% 1W 2010 | CSR2010FT50L0.pdf | |
![]() | RT0805WRB0795K3L | RES SMD 95.3KOHM 0.05% 1/8W 0805 | RT0805WRB0795K3L.pdf | |
![]() | 18AN9N5D00D | 18AN9N5D00D MuRata SMD or Through Hole | 18AN9N5D00D.pdf | |
![]() | 470 uF/150V | 470 uF/150V ORIGINAL SMD or Through Hole | 470 uF/150V.pdf | |
![]() | T356F156M020AT | T356F156M020AT KEMET DIP | T356F156M020AT.pdf | |
![]() | 512MB DDR2-667 (DDR2/ 512M/ 667/ SO-DIMM | 512MB DDR2-667 (DDR2/ 512M/ 667/ SO-DIMM VT SMD or Through Hole | 512MB DDR2-667 (DDR2/ 512M/ 667/ SO-DIMM.pdf | |
![]() | MS3106B22-14P | MS3106B22-14P AMPHENOL SMD or Through Hole | MS3106B22-14P.pdf | |
![]() | S10040200P | S10040200P RFMD SMD or Through Hole | S10040200P.pdf | |
![]() | SN74HC379N | SN74HC379N TEXAS DIP | SN74HC379N.pdf | |
![]() | NL3225-2R4K | NL3225-2R4K ORIGINAL 2K | NL3225-2R4K.pdf |