창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-531AC200M000DG | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | Si530/531 | |
종류 | 수정 및 발진기 | |
제품군 | 발진기 | |
제조업체 | Silicon Labs | |
계열 | Si531 | |
포장 | 트레이 | |
유형 | XO(표준) | |
주파수 | 200MHz | |
기능 | 활성화/비활성화 | |
출력 | LVPECL | |
전압 - 공급 | 3.3V | |
주파수 안정도 | ±7ppm | |
작동 온도 | -40°C ~ 85°C | |
전류 - 공급(최대) | 121mA | |
등급 | - | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
크기/치수 | 0.276" L x 0.197" W(7.00mm x 5.00mm) | |
높이 | 0.071"(1.80mm) | |
패키지/케이스 | 6-SMD, 무연(DFN, LCC) | |
전류 - 공급(비활성화)(최대) | 75mA | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | 336-2816 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 531AC200M000DG | |
관련 링크 | 531AC200, 531AC200M000DG 데이터 시트, Silicon Labs 에이전트 유통 |
![]() | SIT9121AI-2C1-33E100.000000T | OSC XO 3.3V 100MHZ | SIT9121AI-2C1-33E100.000000T.pdf | |
![]() | CDRH10D68RT125NP-100PC | 10µH Shielded Inductor 4.4A 21.4 mOhm Max Nonstandard | CDRH10D68RT125NP-100PC.pdf | |
![]() | EXB-V4V1R8JV | RES ARRAY 2 RES 1.8 OHM 0606 | EXB-V4V1R8JV.pdf | |
![]() | WW1FT6R98 | RES 6.98 OHM 1W 1% AXIAL | WW1FT6R98.pdf | |
![]() | SDC8D38-6R0N-LF | SDC8D38-6R0N-LF coilmaster NA | SDC8D38-6R0N-LF.pdf | |
![]() | 1SS220-T2A | 1SS220-T2A NEC SMD or Through Hole | 1SS220-T2A.pdf | |
![]() | 79SD1.0 | 79SD1.0 NS QFN8 | 79SD1.0.pdf | |
![]() | AK7711VQ | AK7711VQ AKM QFP | AK7711VQ.pdf | |
![]() | BCM5326MAOKQM | BCM5326MAOKQM BROADCOM QFP | BCM5326MAOKQM.pdf | |
![]() | NDP6020P. | NDP6020P. FSC TO-220 | NDP6020P..pdf | |
![]() | LSGT670 BINI1 :H1-1-0-10 | LSGT670 BINI1 :H1-1-0-10 OSRAM SMD or Through Hole | LSGT670 BINI1 :H1-1-0-10.pdf |