창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-530RB200M000DG | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | Si530/531 | |
종류 | 수정 및 발진기 | |
제품군 | 발진기 | |
제조업체 | Silicon Labs | |
계열 | Si530 | |
포장 | 트레이 | |
부품 현황 | 유효 | |
유형 | XO(표준) | |
주파수 | 200MHz | |
기능 | 활성화/비활성화 | |
출력 | LVPECL | |
전압 - 공급 | 2.5V | |
주파수 안정도 | ±20ppm | |
작동 온도 | -40°C ~ 85°C | |
전류 - 공급(최대) | 121mA | |
등급 | - | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
크기/치수 | 0.276" L x 0.197" W(7.00mm x 5.00mm) | |
높이 | 0.071"(1.80mm) | |
패키지/케이스 | 6-SMD, 무연(DFN, LCC) | |
전류 - 공급(비활성화)(최대) | 75mA | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | Q8125717A | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 530RB200M000DG | |
관련 링크 | 530RB200, 530RB200M000DG 데이터 시트, Silicon Labs 에이전트 유통 |
![]() | 1.5SMC39AHE3/9AT | TVS DIODE 33.3VWM 53.9VC DO214AB | 1.5SMC39AHE3/9AT.pdf | |
![]() | MS46LR-30-700-Q1-R-NC-FN | SPARE RECEIVER | MS46LR-30-700-Q1-R-NC-FN.pdf | |
![]() | KFG5616Q1M-PEB0000 | KFG5616Q1M-PEB0000 SAMSUNG SMD or Through Hole | KFG5616Q1M-PEB0000.pdf | |
![]() | CP2211 BO | CP2211 BO ENE SOP-16 | CP2211 BO.pdf | |
![]() | 14219B | 14219B RAY DIP8 | 14219B.pdf | |
![]() | RN73C2A1003FT | RN73C2A1003FT SMECINCORPORATED SMD or Through Hole | RN73C2A1003FT.pdf | |
![]() | UCC28060DRG | UCC28060DRG TI SOP16 | UCC28060DRG.pdf | |
![]() | S54116F | S54116F XICOR DIP | S54116F.pdf | |
![]() | ADG1413YRUZ-REEL | ADG1413YRUZ-REEL ADI TSSOP | ADG1413YRUZ-REEL.pdf | |
![]() | CR32-203J-T | CR32-203J-T KYOCERA SMD or Through Hole | CR32-203J-T.pdf |