창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
내부 부품 번호 | EIS-512MB DDR2-667 (DDR2/ 512M/ 667/ SO-DIMM | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
시리즈 | 512MB DDR2-667 (DDR2/ 512M/ 667/ SO-DIMM | |
EDA/CAD 모델 | - | |
종류 | 전자 부품 | |
공차 | - | |
풍모 | - | |
작동 온도 | - | |
정격 전압 | - | |
정격 전류 | - | |
최종 제품 | - | |
포장 종류 | SMD or Through Hole | |
무게 | 0.001 KG | |
대체 부품 (교체) | 512MB DDR2-667 (DDR2/ 512M/ 667/ SO-DIMM | |
관련 링크 | 512MB DDR2-667 (DDR2/ 51, 512MB DDR2-667 (DDR2/ 512M/ 667/ SO-DIMM 데이터 시트, - 에이전트 유통 |
MKP1841268635M | 6800pF Film Capacitor 250V 630V Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.512" L x 0.177" W (13.00mm x 4.50mm) | MKP1841268635M.pdf | ||
XPGBWT-01-R250-00GD4 | LED Lighting XLamp® XP-G2 White, Neutral 4000K 2.9V 350mA 125° 2-SMD, No Lead, Exposed Pad | XPGBWT-01-R250-00GD4.pdf | ||
ID8755A | ID8755A INTEL DIP | ID8755A.pdf | ||
BA3205B3 | BA3205B3 BEC DIP 18 | BA3205B3.pdf | ||
CKG57KX5R1C476MT000N | CKG57KX5R1C476MT000N TDK SMD | CKG57KX5R1C476MT000N.pdf | ||
LT1460FCMS8-10 | LT1460FCMS8-10 IC SMD or Through Hole | LT1460FCMS8-10.pdf | ||
N85C220-D | N85C220-D INTEL PLCC20 | N85C220-D.pdf | ||
C1608X5R1A106M | C1608X5R1A106M TDK CSeries060310uF | C1608X5R1A106M.pdf | ||
TS3A5018DBQRG4R | TS3A5018DBQRG4R TI l | TS3A5018DBQRG4R.pdf | ||
TA31002A | TA31002A TOS SMD or Through Hole | TA31002A.pdf | ||
DS1110S-100 | DS1110S-100 DALLAS/MAXIM SOP16 | DS1110S-100.pdf | ||
KM684000ALT | KM684000ALT SAMSUNG SOP | KM684000ALT.pdf |