창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-511PBB-ABAG | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | Si510, 511 | |
제품 교육 모듈 | Clock Tree Timing Solutions | |
주요제품 | Si510 and Si511 Low Jitter XOs | |
종류 | 수정 및 발진기 | |
제품군 | 프로그래밍 가능 발진기 | |
제조업체 | Silicon Labs | |
계열 | Si511 | |
포장 | 트레이 | |
부품 현황 | 유효 | |
유형 | XO(표준) | |
프로그래밍 가능 유형 | Digi-Key에서 프로그램(웹주문서에 해당 주파수대 기입요) | |
가용 주파수 범위 | 100kHz ~ 124.999MHz | |
기능 | 활성화/비활성화 | |
출력 | CMOS, Dual(동위상) | |
전압 - 공급 | 2.5V | |
주파수 안정도 | ±25ppm | |
주파수 안정도(총) | ±50ppm | |
작동 온도 | -40°C ~ 85°C | |
확산 대역 대역폭 | - | |
전류 - 공급(최대) | 26mA | |
등급 | - | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 6-SMD, 무연(DFN, LCC) | |
크기/치수 | 0.197" L x 0.126" W(5.00mm x 3.20mm) | |
높이 | 0.050"(1.28mm) | |
전류 - 공급(비활성화)(최대) | 18mA | |
표준 포장 | 1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 511PBB-ABAG | |
관련 링크 | 511PBB, 511PBB-ABAG 데이터 시트, Silicon Labs 에이전트 유통 |
![]() | CC1206JRNPOABN102 | 1000pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | CC1206JRNPOABN102.pdf | |
![]() | TSCDJJN001PDUCV | Pressure Sensor ±1 PSI (±6.89 kPa) Differential Male - 0.09" (2.34mm) Tube, Dual 0 mV ~ 15 mV (5V) 8-DIP (0.524", 13.30mm), Dual Ports, Same Side | TSCDJJN001PDUCV.pdf | |
![]() | T2-1-2W+ | T2-1-2W+ Mini-circuits SMD or Through Hole | T2-1-2W+.pdf | |
![]() | UPD42S16160LG5-A60-7J | UPD42S16160LG5-A60-7J NEC SMD or Through Hole | UPD42S16160LG5-A60-7J.pdf | |
![]() | CAT803STBI-G | CAT803STBI-G Son/ON/Catalyst SOT-23 | CAT803STBI-G.pdf | |
![]() | L24C01R6 | L24C01R6 ST SMD or Through Hole | L24C01R6.pdf | |
![]() | CS190-12IO2 | CS190-12IO2 IXYS SMD or Through Hole | CS190-12IO2.pdf | |
![]() | 24LCO1BI/P | 24LCO1BI/P MICRO DIP-8L | 24LCO1BI/P.pdf | |
![]() | K86AY520 | K86AY520 ST DFN8 | K86AY520.pdf | |
![]() | 74CBTLV3257DR | 74CBTLV3257DR TI SOP-16 | 74CBTLV3257DR.pdf | |
![]() | GA225DR7E2104MW01L | GA225DR7E2104MW01L ORIGINAL SMD | GA225DR7E2104MW01L.pdf |