창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-511NBA-AAAG | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | Si510, 511 | |
제품 교육 모듈 | Clock Tree Timing Solutions | |
주요제품 | Si510 and Si511 Low Jitter XOs | |
종류 | 수정 및 발진기 | |
제품군 | 프로그래밍 가능 발진기 | |
제조업체 | Silicon Labs | |
계열 | Si511 | |
포장 | 트레이 | |
부품 현황 | 유효 | |
유형 | XO(표준) | |
프로그래밍 가능 유형 | Digi-Key에서 프로그램(웹주문서에 해당 주파수대 기입요) | |
가용 주파수 범위 | 100kHz ~ 124.999MHz | |
기능 | 활성화/비활성화 | |
출력 | CMOS, 이중(상보적) | |
전압 - 공급 | 3.3V | |
주파수 안정도 | ±25ppm | |
주파수 안정도(총) | ±50ppm | |
작동 온도 | -40°C ~ 85°C | |
확산 대역 대역폭 | - | |
전류 - 공급(최대) | 26mA | |
등급 | - | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 6-SMD, 무연(DFN, LCC) | |
크기/치수 | 0.276" L x 0.197" W(7.00mm x 5.00mm) | |
높이 | 0.071"(1.80mm) | |
전류 - 공급(비활성화)(최대) | 18mA | |
표준 포장 | 1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 511NBA-AAAG | |
관련 링크 | 511NBA, 511NBA-AAAG 데이터 시트, Silicon Labs 에이전트 유통 |
GRM31A7U2J821JW31D | 820pF 630V 세라믹 커패시터 U2J 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | GRM31A7U2J821JW31D.pdf | ||
VJ0603D2R4BLCAP | 2.4pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | VJ0603D2R4BLCAP.pdf | ||
0001.1007.PT | FUSE CERAMIC 2A 250VAC 5X20MM | 0001.1007.PT.pdf | ||
P4KE82AHE3/54 | TVS DIODE 70.1VWM 113VC AXIAL | P4KE82AHE3/54.pdf | ||
416F27123CKT | 27.12MHz ±20ppm 수정 8pF 200옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F27123CKT.pdf | ||
MCR18EZPF6982 | RES SMD 69.8K OHM 1% 1/4W 1206 | MCR18EZPF6982.pdf | ||
H82K87BYA | RES 2.87K OHM 1/4W 0.1% AXIAL | H82K87BYA.pdf | ||
MJ2940FE-R52 | RES 294 OHM 1/8W 1% AXIAL | MJ2940FE-R52.pdf | ||
P87C055BBP | P87C055BBP PHI DIP42 | P87C055BBP.pdf | ||
2SK2611 + | 2SK2611 + Toshiba TO3P | 2SK2611 +.pdf | ||
NDD05N50ZT4G-ON | NDD05N50ZT4G-ON ORIGINAL SMD or Through Hole | NDD05N50ZT4G-ON.pdf | ||
GSCR38390SE04R2 | GSCR38390SE04R2 MC SMD or Through Hole | GSCR38390SE04R2.pdf |