창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-511NAB-ABAG | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | Si510, 511 | |
제품 교육 모듈 | Clock Tree Timing Solutions | |
주요제품 | Si510 and Si511 Low Jitter XOs | |
종류 | 수정 및 발진기 | |
제품군 | 프로그래밍 가능 발진기 | |
제조업체 | Silicon Labs | |
계열 | Si511 | |
포장 | 트레이 | |
부품 현황 | 유효 | |
유형 | XO(표준) | |
프로그래밍 가능 유형 | Digi-Key에서 프로그램(웹주문서에 해당 주파수대 기입요) | |
가용 주파수 범위 | 100kHz ~ 124.999MHz | |
기능 | 활성화/비활성화 | |
출력 | CMOS, 이중(상보적) | |
전압 - 공급 | 3.3V | |
주파수 안정도 | ±50ppm | |
주파수 안정도(총) | ±100ppm | |
작동 온도 | -40°C ~ 85°C | |
확산 대역 대역폭 | - | |
전류 - 공급(최대) | 26mA | |
등급 | - | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 6-SMD, 무연(DFN, LCC) | |
크기/치수 | 0.197" L x 0.126" W(5.00mm x 3.20mm) | |
높이 | 0.050"(1.28mm) | |
전류 - 공급(비활성화)(최대) | 18mA | |
표준 포장 | 1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 511NAB-ABAG | |
관련 링크 | 511NAB, 511NAB-ABAG 데이터 시트, Silicon Labs 에이전트 유통 |
B32521C1105K | 1µF Film Capacitor 63V 100V Polyester, Polyethylene Terephthalate (PET), Metallized - Stacked Radial 0.512" L x 0.236" W (13.00mm x 6.00mm) | B32521C1105K.pdf | ||
LTST-T680KFWT | Orange 605nm LED Indication - Discrete 2.1V 2-LCC (J-Lead) | LTST-T680KFWT.pdf | ||
0925R-274J | 270µH Shielded Molded Inductor 61mA 12 Ohm Max Axial | 0925R-274J.pdf | ||
P51-50-G-AF-D-5V-000-000 | Pressure Sensor 50 PSI (344.74 kPa) Vented Gauge Male - 9/16" (14.29mm) UNF 1 V ~ 5 V Cylinder | P51-50-G-AF-D-5V-000-000.pdf | ||
EP20K100BC356-1 | EP20K100BC356-1 ALTERA BGA | EP20K100BC356-1.pdf | ||
K7B163635B-QI75 | K7B163635B-QI75 SAMSUNG NEW | K7B163635B-QI75.pdf | ||
29LV160TE-90PFTN. | 29LV160TE-90PFTN. FUJI SSOP | 29LV160TE-90PFTN..pdf | ||
CG36CXJ | CG36CXJ CHINA SMD or Through Hole | CG36CXJ.pdf | ||
2N4080 | 2N4080 MOT CAN | 2N4080.pdf | ||
MM58174A | MM58174A NS DIP | MM58174A.pdf | ||
K6T1008C2E-70TF | K6T1008C2E-70TF ORIGINAL SMD or Through Hole | K6T1008C2E-70TF.pdf |