창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-510QAA-BAAG | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | Si510, 511 | |
제품 교육 모듈 | Clock Tree Timing Solutions | |
주요제품 | Si510 and Si511 Low Jitter XOs | |
종류 | 수정 및 발진기 | |
제품군 | 프로그래밍 가능 발진기 | |
제조업체 | Silicon Labs | |
계열 | Si510 | |
포장 | 트레이 | |
부품 현황 | 유효 | |
유형 | XO(표준) | |
프로그래밍 가능 유형 | Digi-Key에서 프로그램(웹주문서에 해당 주파수대 기입요) | |
가용 주파수 범위 | 125MHz ~ 169.999MHz | |
기능 | 활성화/비활성화 | |
출력 | CMOS, 이중(상보적) | |
전압 - 공급 | 2.5V | |
주파수 안정도 | ±50ppm | |
주파수 안정도(총) | ±100ppm | |
작동 온도 | -40°C ~ 85°C | |
확산 대역 대역폭 | - | |
전류 - 공급(최대) | 26mA | |
등급 | - | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 6-SMD, 무연(DFN, LCC) | |
크기/치수 | 0.276" L x 0.197" W(7.00mm x 5.00mm) | |
높이 | 0.071"(1.80mm) | |
전류 - 공급(비활성화)(최대) | 18mA | |
표준 포장 | 1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 510QAA-BAAG | |
관련 링크 | 510QAA, 510QAA-BAAG 데이터 시트, Silicon Labs 에이전트 유통 |
1808HA150JAT1A | 15pF 3000V(3kV) 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1808(4520 미터법) 0.180" L x 0.080" W(4.57mm x 2.03mm) | 1808HA150JAT1A.pdf | ||
B32529C6223J189 | 0.022µF Film Capacitor 200V 400V Polyester, Polyethylene Terephthalate (PET), Metallized - Stacked Radial | B32529C6223J189.pdf | ||
NOJB336M006RWB | 33µF Niobium Oxide Capacitor 6.3V 1210 (3528 Metric) 700 mOhm ESR | NOJB336M006RWB.pdf | ||
MS46SR-30-350-Q2-R-NC-AP | SPARE RECEIVER | MS46SR-30-350-Q2-R-NC-AP.pdf | ||
CAT5113S | CAT5113S CATALYST SOP8 | CAT5113S.pdf | ||
EM78P860QJV | EM78P860QJV ELANTEC QFP | EM78P860QJV.pdf | ||
SPP80N06S2L-11 | SPP80N06S2L-11 Infineon TO220-3 | SPP80N06S2L-11.pdf | ||
KBR-640Y-TR | KBR-640Y-TR KYOCERA SMD or Through Hole | KBR-640Y-TR.pdf | ||
63S281J | 63S281J MMI SMD or Through Hole | 63S281J.pdf | ||
HD6301V1P-L74 | HD6301V1P-L74 HIT DIP-40 | HD6301V1P-L74.pdf | ||
TNA-00022P1 | TNA-00022P1 Microsoft SMD or Through Hole | TNA-00022P1.pdf | ||
TMS320C6455BZTZ2(1.2GHZ) | TMS320C6455BZTZ2(1.2GHZ) TI BGA(679 | TMS320C6455BZTZ2(1.2GHZ).pdf |