창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-510FBA000149BAGR | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | Si510, 511 | |
| 제품 교육 모듈 | Clock Tree Timing Solutions | |
| 주요제품 | Si510 and Si511 Low Jitter XOs | |
| 종류 | 수정 및 발진기 | |
| 제품군 | 발진기 | |
| 제조업체 | Silicon Labs | |
| 계열 | Si510 | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 유형 | XO(표준) | |
| 주파수 | 74.175824MHz | |
| 기능 | 활성화/비활성화 | |
| 출력 | LVDS | |
| 전압 - 공급 | 2.5V | |
| 주파수 안정도 | ±25ppm | |
| 작동 온도 | -40°C ~ 85°C | |
| 전류 - 공급(최대) | 23mA | |
| 등급 | - | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 크기/치수 | 0.197" L x 0.126" W(5.00mm x 3.20mm) | |
| 높이 | 0.050"(1.28mm) | |
| 패키지/케이스 | 6-SMD, 무연(DFN, LCC) | |
| 전류 - 공급(비활성화)(최대) | 18mA | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 510FBA000149BAGR | |
| 관련 링크 | 510FBA000, 510FBA000149BAGR 데이터 시트, Silicon Labs 에이전트 유통 | |
![]() | MKT1820656065 | 56µF Film Capacitor 40V 63V Polyester, Metallized Radial 1.260" L x 0.709" W (32.00mm x 18.00mm) | MKT1820656065.pdf | |
![]() | FXO-HC530-66.666 | 66.666MHz HCMOS XO (Standard) Oscillator Surface Mount 3.3V 47mA Enable/Disable | FXO-HC530-66.666.pdf | |
| EWT225JB3K00 | RES CHAS MNT 3K OHM 5% 225W | EWT225JB3K00.pdf | ||
![]() | RC1608F4222CS | RES SMD 42.2K OHM 1% 1/10W 0603 | RC1608F4222CS.pdf | |
![]() | RT0603BRE0751K1L | RES SMD 51.1KOHM 0.1% 1/10W 0603 | RT0603BRE0751K1L.pdf | |
![]() | Y1630375R000D9W | RES SMD 375 OHM 0.5% 1/4W 1206 | Y1630375R000D9W.pdf | |
![]() | CR5601LDN | CR5601LDN ORIGINAL SMD or Through Hole | CR5601LDN.pdf | |
![]() | SA5209D,623 | SA5209D,623 NXP SOP-16 | SA5209D,623.pdf | |
![]() | ADM1051AJR-REEL | ADM1051AJR-REEL ANALOG SMD or Through Hole | ADM1051AJR-REEL.pdf | |
![]() | SIGC81T120R2CSUNSAWN | SIGC81T120R2CSUNSAWN Infineon SMD or Through Hole | SIGC81T120R2CSUNSAWN.pdf | |
![]() | XC606P212MR | XC606P212MR TOREX SOT-23 | XC606P212MR.pdf | |
![]() | p8039anl | p8039anl ORIGINAL DIP | p8039anl.pdf |