창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-510ABA106M250BAG | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | Si510/511 | |
종류 | 수정 및 발진기 | |
제품군 | 발진기 | |
제조업체 | Silicon Labs | |
계열 | Si510 | |
포장 | 트레이 | |
유형 | XO(표준) | |
주파수 | 106.25MHz | |
기능 | 활성화/비활성화 | |
출력 | LVPECL | |
전압 - 공급 | 3.3V | |
주파수 안정도 | ±25ppm | |
작동 온도 | -40°C ~ 85°C | |
전류 - 공급(최대) | 43mA | |
등급 | - | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
크기/치수 | 0.197" L x 0.126" W(5.00mm x 3.20mm) | |
높이 | 0.050"(1.28mm) | |
패키지/케이스 | 6-SMD, 무연(DFN, LCC) | |
전류 - 공급(비활성화)(최대) | 18mA | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | 336-2703 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 510ABA106M250BAG | |
관련 링크 | 510ABA106, 510ABA106M250BAG 데이터 시트, Silicon Labs 에이전트 유통 |
![]() | 416F26022ALT | 26MHz ±20ppm 수정 12pF 200옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F26022ALT.pdf | |
![]() | SIT1602BI-11-33E-50.000000E | OSC XO 3.3V 50MHZ | SIT1602BI-11-33E-50.000000E.pdf | |
![]() | DSR6U600D1-13 | DIODE GEN PURP 600V 6A TO252-3 | DSR6U600D1-13.pdf | |
![]() | Y1628123K500B9W | RES SMD 123.5KOHM 0.1% 3/4W 2512 | Y1628123K500B9W.pdf | |
![]() | 74074-0164 | 74074-0164 MOLEX SMD or Through Hole | 74074-0164.pdf | |
![]() | STK10C68-5L35I | STK10C68-5L35I STK LCC | STK10C68-5L35I.pdf | |
![]() | PCM3070RHBEVM-K | PCM3070RHBEVM-K TexasInstruments PCM3070RHBEVM-K Eval | PCM3070RHBEVM-K.pdf | |
![]() | D17704GC-513 | D17704GC-513 NEC PQF | D17704GC-513.pdf | |
![]() | 45J01 | 45J01 TI SOP | 45J01.pdf | |
![]() | AGC-7 | AGC-7 COOPERBUSSMAN/WSI SMD or Through Hole | AGC-7.pdf | |
![]() | 24C515 | 24C515 ATMEL DIP8 | 24C515.pdf |