창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-503JG1F | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | ||
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 503JG1F Drawing 503JG1F RT Chart | |
제품 교육 모듈 | Thermistor Application | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
카탈로그 페이지 | 2832 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 센서, 트랜스듀서 | |
제품군 | 온도 센서 - NTC 서미스터 | |
제조업체 | US Sensor | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | * | |
저항(옴 @ 25°C) | 50k | |
저항 허용 오차 | ±1% | |
B 값 허용 오차 | - | |
B0/50 | 3892K | |
B25/50 | - | |
B25/75 | - | |
B25/85 | - | |
B25/100 | - | |
작동 온도 | -55°C ~ 300°C | |
전력 - 최대 | - | |
길이 - 리드선 | 1.00"(25.40mm) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AH, DO-35, 축 | |
표준 포장 | 100 | |
다른 이름 | 503JG1FRA 615-1027 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 503JG1F | |
관련 링크 | 503J, 503JG1F 데이터 시트, US Sensor 에이전트 유통 |
![]() | PMPB85ENEAX | MOSFET N-CH 60V 3A SOT1220 | PMPB85ENEAX.pdf | |
![]() | MCR10EZPJ110 | RES SMD 11 OHM 5% 1/8W 0805 | MCR10EZPJ110.pdf | |
![]() | RW2S0CBR300JET | RES SMD 0.3 OHM 5% 2W J LEAD | RW2S0CBR300JET.pdf | |
![]() | CP0005R1500JE663 | RES 0.15 OHM 5W 5% AXIAL | CP0005R1500JE663.pdf | |
![]() | 11479201-001REV.B | 11479201-001REV.B EVQPQPS SMD or Through Hole | 11479201-001REV.B.pdf | |
![]() | GU192X16-800A | GU192X16-800A oritake SMD or Through Hole | GU192X16-800A.pdf | |
![]() | UT12009A | UT12009A UMEC SOPDIP | UT12009A.pdf | |
![]() | REF3040AIDBZ | REF3040AIDBZ TI SMD or Through Hole | REF3040AIDBZ.pdf | |
![]() | FKP16800/1600/10PCM22.5 | FKP16800/1600/10PCM22.5 WIM SMD or Through Hole | FKP16800/1600/10PCM22.5.pdf | |
![]() | MC10525BEBS | MC10525BEBS MOT SMD or Through Hole | MC10525BEBS.pdf | |
![]() | 2SC5111F | 2SC5111F TOSHIBA SOT423 | 2SC5111F.pdf |