창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-501S42E8R2CV4E | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | MLCC High-Q Caps Datasheet | |
| 제품 교육 모듈 | EIA 1111 Silver Series S42E MLCCs RF Capacitor Modeling Software | |
| 주요제품 | Multi-Layer High-Q SMD Capacitors | |
| 카탈로그 페이지 | 527 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 커패시터 | |
| 제품군 | 세라믹 커패시터 | |
| 제조업체 | Johanson Technology Inc. | |
| 계열 | E | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 정전 용량 | 8.2pF | |
| 허용 오차 | ±0.25pF | |
| 전압 - 정격 | 500V | |
| 온도 계수 | C0G, NP0 | |
| 실장 유형 | 표면실장, MLCC | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 125°C | |
| 응용 제품 | RF, 마이크로웨이브, 고주파수 | |
| 등급 | - | |
| 패키지/케이스 | 1111(2828 미터법) | |
| 크기/치수 | 0.110" L x 0.110" W(2.79mm x 2.79mm) | |
| 높이 - 장착(최대) | - | |
| 두께(최대) | 0.102"(2.59mm) | |
| 리드 간격 | - | |
| 특징 | 높은 Q값, 저손실, 고전압 | |
| 리드 유형 | - | |
| 표준 포장 | 2,000 | |
| 다른 이름 | 712-1509-2 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 501S42E8R2CV4E | |
| 관련 링크 | 501S42E8, 501S42E8R2CV4E 데이터 시트, Johanson Technology Inc. 에이전트 유통 | |
![]() | 1N3293A | DIODE GEN PURP 600V 100A DO205AA | 1N3293A.pdf | |
![]() | RG2012P-1820-W-T5 | RES SMD 182 OHM 0.05% 1/8W 0805 | RG2012P-1820-W-T5.pdf | |
![]() | MNR04MRAPJ270 | RES ARRAY 4 RES 27 OHM 0804 | MNR04MRAPJ270.pdf | |
![]() | H8330KFDA | RES 330K OHM 1/4W 1% AXIAL | H8330KFDA.pdf | |
![]() | SS-7488S-BN-PG3-BA-A458 | SS-7488S-BN-PG3-BA-A458 BELFUSE SMD or Through Hole | SS-7488S-BN-PG3-BA-A458.pdf | |
![]() | R0K561664S001BE | R0K561664S001BE RENESAS SMD or Through Hole | R0K561664S001BE.pdf | |
![]() | NVP1000 | NVP1000 NEXTCHIP QFP-48 | NVP1000.pdf | |
![]() | HE2E128M35050 | HE2E128M35050 samwha DIP-2 | HE2E128M35050.pdf | |
![]() | TL0511CP | TL0511CP TI DIP-8 | TL0511CP.pdf | |
![]() | 6DI20M-050(6*20A500V) | 6DI20M-050(6*20A500V) FUJI SMD or Through Hole | 6DI20M-050(6*20A500V).pdf | |
![]() | RF9112TR | RF9112TR RFMD SOP16 | RF9112TR.pdf | |
![]() | C451PD | C451PD POWEREX MODULE | C451PD.pdf |