창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-501S42E150KV4E | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | MLCC High-Q Caps Datasheet | |
종류 | 커패시터 | |
제품군 | 세라믹 커패시터 | |
제조업체 | Johanson Technology Inc. | |
계열 | E | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
정전 용량 | 15pF | |
허용 오차 | ±10% | |
전압 - 정격 | 500V | |
온도 계수 | C0G, NP0 | |
실장 유형 | 표면실장, MLCC | |
작동 온도 | -55°C ~ 125°C | |
응용 제품 | RF, 마이크로웨이브, 고주파수 | |
등급 | - | |
패키지/케이스 | 1111(2828 미터법) | |
크기/치수 | 0.110" L x 0.110" W(2.79mm x 2.79mm) | |
높이 - 장착(최대) | - | |
두께(최대) | 0.102"(2.59mm) | |
리드 간격 | - | |
특징 | 높은 Q값, 저손실, 고전압 | |
리드 유형 | - | |
표준 포장 | 2,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 501S42E150KV4E | |
관련 링크 | 501S42E1, 501S42E150KV4E 데이터 시트, Johanson Technology Inc. 에이전트 유통 |
LQM21PN1R0NGRD | 1µH Shielded Multilayer Inductor 1.3A 82.5 mOhm Max 0805 (2012 Metric) | LQM21PN1R0NGRD.pdf | ||
LM61CIZ/NOPB | SENSOR TEMP ANLG VOLT TO-92-3 | LM61CIZ/NOPB.pdf | ||
SN74LVC1G32YZAR | SN74LVC1G32YZAR TI BGA5 | SN74LVC1G32YZAR.pdf | ||
TA48M05F(S.Q) | TA48M05F(S.Q) TOSHIBA SMD or Through Hole | TA48M05F(S.Q).pdf | ||
T3SB20 | T3SB20 TSC SMD or Through Hole | T3SB20.pdf | ||
DVA18XL840 | DVA18XL840 MICROCHIP dip sop | DVA18XL840.pdf | ||
F881DI823M300C | F881DI823M300C KEMET SMD or Through Hole | F881DI823M300C.pdf | ||
1000UF/80V 18*25 | 1000UF/80V 18*25 Cheng SMD or Through Hole | 1000UF/80V 18*25.pdf | ||
FX6-80S-0.8SV(93) | FX6-80S-0.8SV(93) ORIGINAL SMD or Through Hole | FX6-80S-0.8SV(93).pdf | ||
CST1-125X | CST1-125X COILCRAF SMD | CST1-125X.pdf | ||
MBR3504W | MBR3504W HY 35A | MBR3504W.pdf |