창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-501R18N331JV4E | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | Ceramic Cap Catalog High Voltage MLCC | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 카탈로그 페이지 | 2135 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 커패시터 | |
| 제품군 | 세라믹 커패시터 | |
| 제조업체 | Johanson Dielectrics Inc. | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 정전 용량 | 330pF | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전압 - 정격 | 500V | |
| 온도 계수 | C0G, NP0 | |
| 실장 유형 | 표면실장, MLCC | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 125°C | |
| 응용 제품 | 범용 | |
| 등급 | - | |
| 패키지/케이스 | 1206(3216 미터법) | |
| 크기/치수 | 0.125" L x 0.062" W(3.17mm x 1.57mm) | |
| 높이 - 장착(최대) | - | |
| 두께(최대) | 0.050"(1.27mm) | |
| 리드 간격 | - | |
| 특징 | 고전압 | |
| 리드 유형 | - | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | 501R18N331JV4T 709-1275-2 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 501R18N331JV4E | |
| 관련 링크 | 501R18N3, 501R18N331JV4E 데이터 시트, Johanson Dielectrics Inc. 에이전트 유통 | |
![]() | C1210C103JDRACTU | 10000pF 1000V(1kV) 세라믹 커패시터 X7R 1210(3225 미터법) 0.126" L x 0.098" W(3.20mm x 2.50mm) | C1210C103JDRACTU.pdf | |
![]() | 416F38425ATR | 38.4MHz ±20ppm 수정 6pF 200옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F38425ATR.pdf | |
![]() | IXP450(218S4PASA12K) | IXP450(218S4PASA12K) ATI BGA | IXP450(218S4PASA12K).pdf | |
![]() | LM79M06ACH | LM79M06ACH NSC CAN3 | LM79M06ACH.pdf | |
![]() | C50PX500 | C50PX500 POWEREX SCR | C50PX500.pdf | |
![]() | LCWJNSH.PC-BQBT-5R8T-1 | LCWJNSH.PC-BQBT-5R8T-1 OSRAM 1206 | LCWJNSH.PC-BQBT-5R8T-1.pdf | |
![]() | CD74HC04EX | CD74HC04EX HARRIS DIP | CD74HC04EX.pdf | |
![]() | AS2001A | AS2001A BOTHHAND SOPDIP | AS2001A.pdf | |
![]() | R8J66614FP#RFJZ | R8J66614FP#RFJZ RENESAS QFP | R8J66614FP#RFJZ.pdf | |
![]() | SDDR3 64*16 | SDDR3 64*16 ORIGINAL SMD or Through Hole | SDDR3 64*16.pdf | |
![]() | IW4071BD | IW4071BD INT SOP | IW4071BD.pdf | |
![]() | NJ3FP6C-P | NJ3FP6C-P PHYCOMP 32-VFQFN | NJ3FP6C-P.pdf |