창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-4N25(SHORT,F) | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 카탈로그 페이지 | 2762 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 절연기 | |
| 제품군 | 광분리기 - 트랜지스터, 광전지 출력 | |
| 제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | * | |
| 채널 개수 | 1 | |
| 전압 - 분리 | 2500Vrms | |
| 전류 전달비(최소) | 20% @ 10mA | |
| 전류 전달비(최대) | - | |
| 턴온/턴오프(통상) | - | |
| 상승/하강 시간(통상) | 2µs, 200µs | |
| 입력 유형 | DC | |
| 출력 유형 | 베이스 포함 트랜지스터 | |
| 전압 - 출력(최대) | 30V | |
| 전류 - 출력/채널 | 100mA | |
| 전압 - 순방향(Vf) 통상 | 1.15V | |
| 전류 - DC 순방향(If) | 80mA | |
| Vce 포화(최대) | 500mV | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 100°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | 6-DIP(0.300", 7.62mm) | |
| 공급 장치 패키지 | 6-DIP | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | 4N25SHORTFT | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 4N25(SHORT,F) | |
| 관련 링크 | 4N25(SH, 4N25(SHORT,F) 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통 | |
![]() | 416F48025IAT | 48MHz ±20ppm 수정 10pF 100옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F48025IAT.pdf | |
![]() | MRS25000C6041FRP00 | RES 6.04K OHM 0.6W 1% AXIAL | MRS25000C6041FRP00.pdf | |
![]() | LM4040BIM-4.1 | LM4040BIM-4.1 NSC SO-8 | LM4040BIM-4.1.pdf | |
![]() | 47C422F-JD61 | 47C422F-JD61 ORIGINAL QFP | 47C422F-JD61.pdf | |
![]() | BA5953F | BA5953F ORIGINAL SMD44 | BA5953F.pdf | |
![]() | 74HC245BQ-115 | 74HC245BQ-115 NXP SMD or Through Hole | 74HC245BQ-115.pdf | |
![]() | 204HD/F182-68(VSE) | 204HD/F182-68(VSE) EVERLIGHT SMD or Through Hole | 204HD/F182-68(VSE).pdf | |
![]() | RJ80536/SL7F7/900/512 | RJ80536/SL7F7/900/512 INTEL BGA | RJ80536/SL7F7/900/512.pdf | |
![]() | NIS06J8N2TRF | NIS06J8N2TRF NIS SMD | NIS06J8N2TRF.pdf | |
![]() | HA351025 | HA351025 IR DIP | HA351025.pdf | |
![]() | B13B-ZR-SM5F-TF(LF)(SN) | B13B-ZR-SM5F-TF(LF)(SN) JST SMD | B13B-ZR-SM5F-TF(LF)(SN).pdf | |
![]() | 24LC256T-I/STG | 24LC256T-I/STG MICROCHIP TSSOP-8 | 24LC256T-I/STG.pdf |