창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-4N25(SHORT,F) | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
카탈로그 페이지 | 2762 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 절연기 | |
제품군 | 광분리기 - 트랜지스터, 광전지 출력 | |
제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | * | |
채널 개수 | 1 | |
전압 - 분리 | 2500Vrms | |
전류 전달비(최소) | 20% @ 10mA | |
전류 전달비(최대) | - | |
턴온/턴오프(통상) | - | |
상승/하강 시간(통상) | 2µs, 200µs | |
입력 유형 | DC | |
출력 유형 | 베이스 포함 트랜지스터 | |
전압 - 출력(최대) | 30V | |
전류 - 출력/채널 | 100mA | |
전압 - 순방향(Vf) 통상 | 1.15V | |
전류 - DC 순방향(If) | 80mA | |
Vce 포화(최대) | 500mV | |
작동 온도 | -55°C ~ 100°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | 6-DIP(0.300", 7.62mm) | |
공급 장치 패키지 | 6-DIP | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | 4N25SHORTFT | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 4N25(SHORT,F) | |
관련 링크 | 4N25(SH, 4N25(SHORT,F) 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통 |
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![]() | SIT1602AI-82-33E-18.432000Y | OSC XO 3.3V 18.432MHZ OE | SIT1602AI-82-33E-18.432000Y.pdf | |
![]() | 1N6000C | DIODE ZENER 10V 500MW DO35 | 1N6000C.pdf | |
![]() | RG2012P-7683-D-T5 | RES SMD 768K OHM 0.5% 1/8W 0805 | RG2012P-7683-D-T5.pdf | |
![]() | 30J82RE | RES 82 OHM 10W 5% AXIAL | 30J82RE.pdf | |
![]() | XC3190A-52PQ160C | XC3190A-52PQ160C XILINX SMD or Through Hole | XC3190A-52PQ160C.pdf | |
![]() | IP2005BP | IP2005BP IR QFN | IP2005BP.pdf | |
![]() | JCP8075 | JCP8075 JVC BGA | JCP8075.pdf | |
![]() | KMB14F TRR | KMB14F TRR TRR SMD4 | KMB14F TRR.pdf | |
![]() | PAT591CMT-R | PAT591CMT-R MITSUMI SOT-89-4 | PAT591CMT-R.pdf |