창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-477LBB160M2CC | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | LBB Series Datasheet | |
| 종류 | 커패시터 | |
| 제품군 | 알루미늄 커패시터 | |
| 제조업체 | Illinois Capacitor | |
| 계열 | LBB | |
| 포장 | 벌크 | |
| 정전 용량 | 470µF | |
| 허용 오차 | ±20% | |
| 정격 전압 | 160V | |
| 등가 직렬 저항(ESR) | 352.74m옴 @ 120Hz | |
| 수명 @ 온도 | 3000시간(85°C) | |
| 작동 온도 | -40°C ~ 85°C | |
| 분극 | 극성 | |
| 응용 제품 | 범용 | |
| 리플 전류 | 1.74A | |
| 임피던스 | - | |
| 리드 간격 | 0.394"(10.00mm) | |
| 크기/치수 | 0.984" Dia(25.00mm) | |
| 높이 - 장착(최대) | 1.063"(27.00mm) | |
| 표면 실장 면적 크기 | - | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | 레이디얼, Can - 스냅인 | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 477LBB160M2CC | |
| 관련 링크 | 477LBB1, 477LBB160M2CC 데이터 시트, Illinois Capacitor 에이전트 유통 | |
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![]() | VJ0402D3R3BLCAP | 3.3pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.040" L x 0.020" W(1.02mm x 0.51mm) | VJ0402D3R3BLCAP.pdf | |
![]() | TS353T23CET | 35.328MHz ±20ppm 수정 20pF 80옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | TS353T23CET.pdf | |
![]() | MX555ABB50M0000-TR | 50MHz LVDS XO (Standard) Oscillator Surface Mount 2.375 V ~ 3.63 V 90mA Enable/Disable | MX555ABB50M0000-TR.pdf | |
![]() | 1N4937GP-M3/73 | DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AL | 1N4937GP-M3/73.pdf | |
![]() | CJT200270RJJ | RES CHAS MNT 270 OHM 5% 200W | CJT200270RJJ.pdf | |
![]() | LP62S512X-10LLT | LP62S512X-10LLT ESMT SMD or Through Hole | LP62S512X-10LLT.pdf | |
![]() | QS024253752-14 | QS024253752-14 IRC TSOP | QS024253752-14.pdf | |
![]() | H5PS5162FFR 25C | H5PS5162FFR 25C ORIGINAL BGA | H5PS5162FFR 25C.pdf | |
![]() | 8GBU08 | 8GBU08 IR SMD or Through Hole | 8GBU08.pdf | |
![]() | 85AD | 85AD STM BGA | 85AD.pdf | |
![]() | DSPIC33FJ64MC710-I/P | DSPIC33FJ64MC710-I/P Microchip TQFP-100 | DSPIC33FJ64MC710-I/P.pdf |