창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-4606H-101-562 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | 4606H-101-562 | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | SMD or Through Hole | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | 4606H-101-562 | |
| 관련 링크 | 4606H-1, 4606H-101-562 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
![]() | 36D771F200AD2A | 770µF 200V Aluminum Capacitors Radial, Can - Screw Terminals 1000 Hrs @ 85°C | 36D771F200AD2A.pdf | |
![]() | SMCJ7.5CA-HRAT7 | TVS DIODE 7.5VWM 12.9VC | SMCJ7.5CA-HRAT7.pdf | |
![]() | SIT1602AIU3-33S | 3.75MHz ~ 77.76MHz HCMOS, LVCMOS MEMS (Silicon) Programmable Oscillator Surface Mount 3.3V 4.5mA Standby | SIT1602AIU3-33S.pdf | |
| NE3516S02-T1C-A | IC HJ-FET RF N-CH S02 4-MICROX | NE3516S02-T1C-A.pdf | ||
| IRFBG30PBF | MOSFET N-CH 1000V 3.1A TO-220AB | IRFBG30PBF.pdf | ||
![]() | JMK105BJ224MV-B | JMK105BJ224MV-B NEC NULL | JMK105BJ224MV-B.pdf | |
![]() | RD18ES-T1 AB2 | RD18ES-T1 AB2 NEC DO34 | RD18ES-T1 AB2.pdf | |
![]() | MB90F345CAPFR-GS-SPE1 | MB90F345CAPFR-GS-SPE1 FUJITSU SMD or Through Hole | MB90F345CAPFR-GS-SPE1.pdf | |
![]() | 3M-50DB | 3M-50DB WEINSCHEL SMD or Through Hole | 3M-50DB.pdf | |
![]() | SP6415ER-L/TR | SP6415ER-L/TR EXAR 10SLP | SP6415ER-L/TR.pdf | |
![]() | TRS3222ECDWRG4 | TRS3222ECDWRG4 TI SOP20 | TRS3222ECDWRG4.pdf |