창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
내부 부품 번호 | EIS-4426R3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
시리즈 | 4426R3 | |
EDA/CAD 모델 | - | |
종류 | 전자 부품 | |
공차 | - | |
풍모 | - | |
작동 온도 | - | |
정격 전압 | - | |
정격 전류 | - | |
최종 제품 | - | |
포장 종류 | SMD or Through Hole | |
무게 | 0.001 KG | |
대체 부품 (교체) | 4426R3 | |
관련 링크 | 442, 4426R3 데이터 시트, - 에이전트 유통 |
![]() | VS-MBR3035WTPBF | DIODE ARRAY SCHOTTKY 35V TO247AC | VS-MBR3035WTPBF.pdf | |
![]() | RM3216B-102/902-PBVW10 | RES ARRAY 2 RES MULT OHM 1206 | RM3216B-102/902-PBVW10.pdf | |
![]() | CMF5562R000FKEB | RES 62 OHM 1/2W 1% AXIAL | CMF5562R000FKEB.pdf | |
![]() | AT90S2313-4SC/10SC | AT90S2313-4SC/10SC ATMEL SOP | AT90S2313-4SC/10SC.pdf | |
![]() | PMB3925 | PMB3925 ERICSSON SMD | PMB3925.pdf | |
![]() | WR04X103JTL | WR04X103JTL WALSIN SMD or Through Hole | WR04X103JTL.pdf | |
![]() | M471B5673EH1-CH9 (SODIMM DDR3 2GB) | M471B5673EH1-CH9 (SODIMM DDR3 2GB) Samsung SMD or Through Hole | M471B5673EH1-CH9 (SODIMM DDR3 2GB).pdf | |
![]() | IDT74SSTV16859NL | IDT74SSTV16859NL AMP TSSOP | IDT74SSTV16859NL.pdf | |
![]() | B409 | B409 NULL SOP-8 | B409.pdf | |
![]() | 54HC157M/B2AJC | 54HC157M/B2AJC TI CLCC | 54HC157M/B2AJC.pdf | |
![]() | MADS001340-1279 | MADS001340-1279 MA/COM SMD or Through Hole | MADS001340-1279.pdf |