창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-416F4401XATR | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 416 Series Datasheet | |
종류 | 수정 및 발진기 | |
제품군 | 수정 | |
제조업체 | CTS-Frequency Controls | |
계열 | 416 | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
유형 | MHz 수정 | |
주파수 | 44MHz | |
주파수 안정도 | ±15ppm | |
주파수 허용 오차 | ±10ppm | |
부하 정전 용량 | 6pF | |
등가 직렬 저항(ESR) | 100옴 | |
작동 모드 | 기본 | |
작동 온도 | -10°C ~ 60°C | |
등급 | - | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | |
크기/치수 | 0.063" L x 0.047" W(1.60mm x 1.20mm) | |
높이 | 0.018"(0.45mm) | |
표준 포장 | 3,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 416F4401XATR | |
관련 링크 | 416F440, 416F4401XATR 데이터 시트, Tusonix a Subsidiary of CTS Electronic Components 에이전트 유통 |
![]() | BSZ040N04LSGATMA1 | MOSFET N-CH 40V 40A TSDSON-8 | BSZ040N04LSGATMA1.pdf | |
![]() | APTGT50H60T1G | IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP1 | APTGT50H60T1G.pdf | |
![]() | 24AA08-I/SNG | 24AA08-I/SNG MICROCHIP ORIGINAL | 24AA08-I/SNG.pdf | |
![]() | STTA306BTR | STTA306BTR sgs SMD or Through Hole | STTA306BTR.pdf | |
![]() | EM78P157EL | EM78P157EL WJY DIP18 | EM78P157EL.pdf | |
![]() | D2HW-BR221DR | D2HW-BR221DR OMRON SMD or Through Hole | D2HW-BR221DR.pdf | |
![]() | 19-10645 | 19-10645 ORIGINAL DIP-8 | 19-10645.pdf | |
![]() | S553-5999-53 | S553-5999-53 BELFUSE SMD or Through Hole | S553-5999-53.pdf | |
![]() | 01-001-0063 | 01-001-0063 ORIGINAL SMD or Through Hole | 01-001-0063.pdf | |
![]() | LMX5251SQ | LMX5251SQ NS QFN48LLP-48 | LMX5251SQ.pdf | |
![]() | CL31C682JBHNNNC | CL31C682JBHNNNC SAMSUNG SMD or Through Hole | CL31C682JBHNNNC.pdf |