창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-416F3701XATR | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 416 Series Datasheet | |
| 종류 | 수정 및 발진기 | |
| 제품군 | 수정 | |
| 제조업체 | CTS-Frequency Controls | |
| 계열 | 416 | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 유형 | MHz 수정 | |
| 주파수 | 37MHz | |
| 주파수 안정도 | ±15ppm | |
| 주파수 허용 오차 | ±10ppm | |
| 부하 정전 용량 | 6pF | |
| 등가 직렬 저항(ESR) | 200옴 | |
| 작동 모드 | 기본 | |
| 작동 온도 | -10°C ~ 60°C | |
| 등급 | - | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | |
| 크기/치수 | 0.063" L x 0.047" W(1.60mm x 1.20mm) | |
| 높이 | 0.018"(0.45mm) | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 416F3701XATR | |
| 관련 링크 | 416F370, 416F3701XATR 데이터 시트, Tusonix a Subsidiary of CTS Electronic Components 에이전트 유통 | |
![]() | GRM1887U1H4R5CZ01D | 4.5pF 50V 세라믹 커패시터 U2J 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | GRM1887U1H4R5CZ01D.pdf | |
![]() | FLSR.200T | FUSE CRTRDGE 200MA 600VAC/300VDC | FLSR.200T.pdf | |
![]() | 2N7002E-T1-E3 | MOSFET N-CH 60V 240MA SOT-23 | 2N7002E-T1-E3.pdf | |
![]() | HKQ0603W6N8J-T | 6.8nH Unshielded Multilayer Inductor 310mA 500 mOhm Max 0201 (0603 Metric) | HKQ0603W6N8J-T.pdf | |
![]() | RG2012P-3010-B-T5 | RES SMD 301 OHM 0.1% 1/8W 0805 | RG2012P-3010-B-T5.pdf | |
![]() | RG3216V-8201-D-T5 | RES SMD 8.2K OHM 0.5% 1/4W 1206 | RG3216V-8201-D-T5.pdf | |
![]() | STM8L101G3U6TR | STM8L101G3U6TR STM UFQFPN28 | STM8L101G3U6TR.pdf | |
![]() | ERD32-01L | ERD32-01L FUJI DIP | ERD32-01L.pdf | |
![]() | 963-1C-5DS | 963-1C-5DS ORIGINAL SMD or Through Hole | 963-1C-5DS.pdf | |
![]() | FDVE0630-R82N=P3 | FDVE0630-R82N=P3 ORIGINAL SMD or Through Hole | FDVE0630-R82N=P3.pdf | |
![]() | TD27C256- | TD27C256- INTEL DIP28 | TD27C256-.pdf |