창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-4116R-1-682LF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 4100R Series | |
| 3D 모델 | 4116R.stp | |
| PCN 설계/사양 | 41xx,43xx,44x,48xx Model May 2012 | |
| 카탈로그 페이지 | 2304 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 저항기 | |
| 제품군 | 저항기 네트워크, 어레이 | |
| 제조업체 | Bourns Inc. | |
| 계열 | 4100R | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | * | |
| 회로 유형 | 절연 | |
| 저항(옴) | 6.8k | |
| 허용 오차 | ±2% | |
| 저항기 개수 | 8 | |
| 핀 개수 | 16 | |
| 소자별 전력 | 250mW | |
| 온도 계수 | ±100ppm/°C | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 125°C | |
| 응용 제품 | - | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | 16-DIP(0.300", 7.62mm) | |
| 공급 장치 패키지 | 16-DIP | |
| 크기/치수 | 0.865" L x 0.300" W(21.97mm x 7.62mm) | |
| 높이 | 0.185"(4.69mm) | |
| 표준 포장 | 25 | |
| 다른 이름 | 4116R1682LF | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 4116R-1-682LF | |
| 관련 링크 | 4116R-1, 4116R-1-682LF 데이터 시트, Bourns Inc. 에이전트 유통 | |
![]() | CSTCE18M4V53-R0 | 18.432MHz Ceramic Resonator Built in Capacitor 15pF ±0.2% -20°C ~ 80°C Surface Mount | CSTCE18M4V53-R0.pdf | |
![]() | IXTP140N055T2 | MOSFET N-CH 55V 140A TO-220 | IXTP140N055T2.pdf | |
![]() | RAVF104DFT1K80 | RES ARRAY 4 RES 1.8K OHM 0804 | RAVF104DFT1K80.pdf | |
![]() | UPD63826F-3B9 | UPD63826F-3B9 NEC QFP | UPD63826F-3B9.pdf | |
![]() | conexant20436 | conexant20436 ORIGINAL SMD or Through Hole | conexant20436.pdf | |
![]() | DS18S20 | DS18S20 ORIGINAL TO92 | DS18S20.pdf | |
![]() | ADM0D79JQ | ADM0D79JQ AD DIP | ADM0D79JQ.pdf | |
![]() | H8/3079 | H8/3079 HITACHI QFP | H8/3079.pdf | |
![]() | TPS76150DBVTG4 TEL:82766440 | TPS76150DBVTG4 TEL:82766440 TI/ SMD or Through Hole | TPS76150DBVTG4 TEL:82766440.pdf | |
![]() | 215R6VARA21G | 215R6VARA21G ATI BGA | 215R6VARA21G.pdf | |
![]() | NVM3060 | NVM3060 ITT DIP | NVM3060.pdf | |
![]() | UPD75402GS-508-BA5-E | UPD75402GS-508-BA5-E NEC SOP | UPD75402GS-508-BA5-E.pdf |