창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
내부 부품 번호 | EIS-4116R-002-153 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
시리즈 | 4116R-002-153 | |
EDA/CAD 모델 | - | |
종류 | 전자 부품 | |
공차 | - | |
풍모 | - | |
작동 온도 | - | |
정격 전압 | - | |
정격 전류 | - | |
최종 제품 | - | |
포장 종류 | ORIGINAL | |
무게 | 0.001 KG | |
대체 부품 (교체) | 4116R-002-153 | |
관련 링크 | 4116R-0, 4116R-002-153 데이터 시트, - 에이전트 유통 |
![]() | BC846UE6327HTSA1 | TRANS 2NPN 65V 0.1A SC74-6 | BC846UE6327HTSA1.pdf | |
![]() | B78148E1104J000 | 100µH Unshielded Wirewound Inductor 640mA 1.45 Ohm Max Radial | B78148E1104J000.pdf | |
RSMF1JB2R70 | RES MO 1W 2.7 OHM 5% AXIAL | RSMF1JB2R70.pdf | ||
![]() | Y0075160R000B9L | RES 160 OHM 0.3W 0.1% RADIAL | Y0075160R000B9L.pdf | |
![]() | 473J | 473J ORIGINAL SMD or Through Hole | 473J.pdf | |
![]() | SDH85N60P | SDH85N60P SW DO-5 | SDH85N60P.pdf | |
![]() | LCWCQDP.EC-K B | LCWCQDP.EC-K B OOS TW31 | LCWCQDP.EC-K B.pdf | |
![]() | TBU601 | TBU601 HY SMD or Through Hole | TBU601.pdf | |
![]() | S-8242BAT-I8T1G | S-8242BAT-I8T1G SEIKO SMD or Through Hole | S-8242BAT-I8T1G.pdf | |
![]() | MMBZ243B(UY-49 | MMBZ243B(UY-49 NATIONAL DIODEZE | MMBZ243B(UY-49.pdf | |
![]() | G200-850-B3 | G200-850-B3 nVIDIA BGA | G200-850-B3.pdf | |
![]() | MLH0603-18N-5 | MLH0603-18N-5 FER SMD | MLH0603-18N-5.pdf |