창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-3SBMB6 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 3SBMx2-x0 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 브리지 정류기 | |
제조업체 | Semtech Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
다이오드 유형 | 단상 | |
전압 - 피크 역(최대) | 600V | |
전류 - DC 순방향(If) | 3A | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | 4-SIP | |
공급 장치 패키지 | - | |
표준 포장 | 1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 3SBMB6 | |
관련 링크 | 3SB, 3SBMB6 데이터 시트, Semtech Corporation 에이전트 유통 |
SP1210-273H | 27µH Shielded Wirewound Inductor 249mA 2.5 Ohm Max Nonstandard | SP1210-273H.pdf | ||
UPD78F0058GK | UPD78F0058GK NEC TQFP-80 | UPD78F0058GK.pdf | ||
RC1206JR-07 100R | RC1206JR-07 100R ORIGINAL 1206 | RC1206JR-07 100R.pdf | ||
767017-5 | 767017-5 Tyco/AMP NA | 767017-5.pdf | ||
4071D | 4071D ON SMD | 4071D.pdf | ||
FAR-G6EE-1G8425-Y2PQ-Z | FAR-G6EE-1G8425-Y2PQ-Z FUJITSU SMD or Through Hole | FAR-G6EE-1G8425-Y2PQ-Z.pdf | ||
K4S281632H-TC60 | K4S281632H-TC60 SAMSUNG TSOP | K4S281632H-TC60.pdf | ||
U36D80LG183M51X79HP | U36D80LG183M51X79HP UMITEDCHEMI-CON DIP | U36D80LG183M51X79HP.pdf | ||
SMBJ220CA-E3 | SMBJ220CA-E3 VISHAY DO-214AA | SMBJ220CA-E3.pdf | ||
RN50D1212F | RN50D1212F VISHAY/DALE SMD or Through Hole | RN50D1212F.pdf | ||
L383HPDMAHT | L383HPDMAHT LENOO SMD or Through Hole | L383HPDMAHT.pdf |