창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
내부 부품 번호 | EIS-3S1265YDTU TO3P | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
시리즈 | 3S1265YDTU TO3P | |
EDA/CAD 모델 | - | |
종류 | 전자 부품 | |
공차 | - | |
풍모 | - | |
작동 온도 | - | |
정격 전압 | - | |
정격 전류 | - | |
최종 제품 | - | |
포장 종류 | SMD or Through Hole | |
무게 | 0.001 KG | |
대체 부품 (교체) | 3S1265YDTU TO3P | |
관련 링크 | 3S1265YDT, 3S1265YDTU TO3P 데이터 시트, - 에이전트 유통 |
0230.500MXF32P | FUSE GLASS 500MA 250VAC 125VDC | 0230.500MXF32P.pdf | ||
TRF37A75IDSGR | RF Amplifier IC Cellular, CATV, DBS 40MHz ~ 6GHz 8-WSON (2x2) | TRF37A75IDSGR.pdf | ||
TB0640M | TB0640M DIODES DO-214AA | TB0640M.pdf | ||
MC-7642-E1 | MC-7642-E1 NEC SMD or Through Hole | MC-7642-E1.pdf | ||
VG-1201CA 30.7200M-FBNC | VG-1201CA 30.7200M-FBNC ORIGINAL SMD or Through Hole | VG-1201CA 30.7200M-FBNC.pdf | ||
100-406-10-1001 | 100-406-10-1001 NEXTRONIC CONNECTOR | 100-406-10-1001.pdf | ||
GP1S201HCZ | GP1S201HCZ SHARP GAP3-DIP4 | GP1S201HCZ.pdf | ||
SIA0426C01-SO | SIA0426C01-SO SAMSUNG SOP | SIA0426C01-SO.pdf | ||
CR03AM-12B(pb free) | CR03AM-12B(pb free) RENESAS TO-92 | CR03AM-12B(pb free).pdf | ||
C0603CH1E070D | C0603CH1E070D ORIGINAL SMD or Through Hole | C0603CH1E070D.pdf | ||
S201S15V | S201S15V SHARP SMD or Through Hole | S201S15V.pdf | ||
18LF877A-I/P | 18LF877A-I/P MICROCHIP SMD or Through Hole | 18LF877A-I/P.pdf |