창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-3N164 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 3N163,3N164 | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| PCN 조립/원산지 | SIL-062-2014-Rev-0 30/May/2014 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 50mA(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 300옴 @ 100µA, 20V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 10µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3.5pF @ 15V | |
| 전력 - 최대 | 375mW | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-206AF, TO-72-4 금속 캔 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-72 | |
| 표준 포장 | 200 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 3N164 | |
| 관련 링크 | 3N1, 3N164 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | AIMC-0201-10NJ-T | 10nH Unshielded Multilayer Inductor 200mA 800 mOhm Max 0201 (0603 Metric) | AIMC-0201-10NJ-T.pdf | |
![]() | 48155-373-01 | 48155-373-01 AMIS SOP-28P | 48155-373-01.pdf | |
![]() | CD2215 | CD2215 N/A TDIP | CD2215.pdf | |
![]() | TB3361 | TB3361 ORIGINAL DIP | TB3361.pdf | |
![]() | SAB167CR-LM | SAB167CR-LM ORIGINAL QFP | SAB167CR-LM.pdf | |
![]() | TC072 | TC072 TI SOP | TC072.pdf | |
![]() | ACT16863 | ACT16863 TI SOP56 | ACT16863.pdf | |
![]() | AD7993BR | AD7993BR AD TSSOP | AD7993BR.pdf | |
![]() | SC27941P08 | SC27941P08 ONS SMD or Through Hole | SC27941P08.pdf | |
![]() | PDTC114E | PDTC114E NXP SOT23 | PDTC114E.pdf | |
![]() | EVPAFDB65 | EVPAFDB65 PAN SMD or Through Hole | EVPAFDB65.pdf | |
![]() | UC3833DW | UC3833DW TI SOP16 | UC3833DW.pdf |