창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-3N164 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 3N163,3N164 | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
PCN 조립/원산지 | SIL-062-2014-Rev-0 30/May/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 50mA(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 300옴 @ 100µA, 20V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 10µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3.5pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 375mW | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-206AF, TO-72-4 금속 캔 | |
공급 장치 패키지 | TO-72 | |
표준 포장 | 200 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 3N164 | |
관련 링크 | 3N1, 3N164 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
PT2010FK-070R1L | RES SMD 0.1 OHM 1% 3/4W 2010 | PT2010FK-070R1L.pdf | ||
CW02C20R00JS70 | RES 20 OHM 3.25W 5% AXIAL | CW02C20R00JS70.pdf | ||
LTS-3403LP | LTS-3403LP LITEON SMD or Through Hole | LTS-3403LP.pdf | ||
BLM18BD102SN1D(BLM11B102SPTM00-03) | BLM18BD102SN1D(BLM11B102SPTM00-03) MURATA 0603-102 | BLM18BD102SN1D(BLM11B102SPTM00-03).pdf | ||
2SD2500N | 2SD2500N ORIGINAL DIP | 2SD2500N.pdf | ||
R-12U824EE | R-12U824EE MITSUMI SMD | R-12U824EE.pdf | ||
ADL5135ACPZ | ADL5135ACPZ ADI SMD or Through Hole | ADL5135ACPZ.pdf | ||
TFI7 | TFI7 AVAGO QFN | TFI7.pdf | ||
M32L1632512A-10Q(B4L3218A) | M32L1632512A-10Q(B4L3218A) EFIteMT QFP-100 | M32L1632512A-10Q(B4L3218A).pdf | ||
UPD17218GT | UPD17218GT NEC SOP | UPD17218GT.pdf | ||
PT600JT | PT600JT SHARP SMD or Through Hole | PT600JT.pdf | ||
PIC16C712-04E/P | PIC16C712-04E/P MICROCHI DIP18 | PIC16C712-04E/P.pdf |