창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-3N163 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 3N163,3N164 | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| PCN 조립/원산지 | SIL-062-2014-Rev-0 30/May/2014 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 50mA(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 250옴 @ 100µA, 20V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 10µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3.5pF @ 15V | |
| 전력 - 최대 | 375mW | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-206AF, TO-72-4 금속 캔 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-72 | |
| 표준 포장 | 200 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 3N163 | |
| 관련 링크 | 3N1, 3N163 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | GJM1555C1H5R3WB01D | 5.3pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | GJM1555C1H5R3WB01D.pdf | |
![]() | V175LA10AP | VARISTOR 270V 4.5KA DISC 14MM | V175LA10AP.pdf | |
![]() | APT2X30DQ60J | DIODE MODULE 600V 30A ISOTOP | APT2X30DQ60J.pdf | |
![]() | RV2512JK-0710ML | RES SMD 10M OHM 5% 1W 2512 | RV2512JK-0710ML.pdf | |
![]() | PHP00603E1981BST1 | RES SMD 1.98K OHM 0.1% 3/8W 0603 | PHP00603E1981BST1.pdf | |
![]() | 74LS241DC/54LS241 | 74LS241DC/54LS241 F DIP | 74LS241DC/54LS241.pdf | |
![]() | 1147018802127100 | 1147018802127100 MILL-MAX SMD or Through Hole | 1147018802127100.pdf | |
![]() | CSTLS6M00G53-A0 | CSTLS6M00G53-A0 MURATA SMD or Through Hole | CSTLS6M00G53-A0.pdf | |
![]() | HE1H109M30050HA190 | HE1H109M30050HA190 SAMWHA SMD or Through Hole | HE1H109M30050HA190.pdf | |
![]() | C1608C0G2A102K | C1608C0G2A102K TDK SMD | C1608C0G2A102K.pdf | |
![]() | FQPF58N08T | FQPF58N08T FSC/ TO-220F | FQPF58N08T.pdf | |
![]() | M3RU | M3RU INTERSIL SOT23-6 | M3RU.pdf |