창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-3N163-E3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 3N163,3N164 | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
PCN 조립/원산지 | SIL-062-2014-Rev-0 30/May/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 50mA(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 250옴 @ 100µA, 20V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 10µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3.5pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 375mW | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-206AF, TO-72-4 금속 캔 | |
공급 장치 패키지 | TO-72 | |
표준 포장 | 200 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 3N163-E3 | |
관련 링크 | 3N16, 3N163-E3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | 2000-1R5-V-RC | 1.5µH Unshielded Toroidal Inductor 18.7A 2 mOhm Max Radial | 2000-1R5-V-RC.pdf | |
![]() | LT5400BIMS8E-1#TRPBF | RES ARRAY 4 RES 10K OHM 8TSSOP | LT5400BIMS8E-1#TRPBF.pdf | |
![]() | MBA02040C1003FC100 | RES 100K OHM 0.4W 1% AXIAL | MBA02040C1003FC100.pdf | |
![]() | H88K25BYA | RES 8.25K OHM 1/4W 0.1% AXIAL | H88K25BYA.pdf | |
![]() | CAT105BC | CAT105BC CSI DIP24 | CAT105BC.pdf | |
![]() | D78P3014GT | D78P3014GT NEC SMD or Through Hole | D78P3014GT.pdf | |
![]() | 600S7R5BT200T | 600S7R5BT200T ATC SMD | 600S7R5BT200T.pdf | |
![]() | BSM100GAL100D | BSM100GAL100D SIEMENS SMD or Through Hole | BSM100GAL100D.pdf | |
![]() | 1009-G60M-01R | 1009-G60M-01R ORIGINAL SMD or Through Hole | 1009-G60M-01R.pdf | |
![]() | 1620-2 | 1620-2 KEY SMD or Through Hole | 1620-2.pdf | |
![]() | MJE2050 | MJE2050 ON TO-126 | MJE2050.pdf | |
![]() | SFH423 | SFH423 ORIGINAL SMD or Through Hole | SFH423.pdf |