창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-3N163-E3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 3N163,3N164 | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| PCN 조립/원산지 | SIL-062-2014-Rev-0 30/May/2014 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 50mA(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 250옴 @ 100µA, 20V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 10µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3.5pF @ 15V | |
| 전력 - 최대 | 375mW | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-206AF, TO-72-4 금속 캔 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-72 | |
| 표준 포장 | 200 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 3N163-E3 | |
| 관련 링크 | 3N16, 3N163-E3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | ESMH101VSN272MQ45T | 2700µF 100V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 2000 Hrs @ 85°C | ESMH101VSN272MQ45T.pdf | |
![]() | S151K33Y5PR65K7R | 150pF 3000V(3kV) 세라믹 커패시터 Y5P(B) 방사형, 디스크 0.335" Dia(8.50mm) | S151K33Y5PR65K7R.pdf | |
![]() | RCP0505W43R0GEB | RES SMD 43 OHM 2% 5W 0505 | RCP0505W43R0GEB.pdf | |
![]() | SKY77512-11 | SKY77512-11 ORIGINAL BGA | SKY77512-11.pdf | |
![]() | 2N1843A | 2N1843A GE SMD or Through Hole | 2N1843A.pdf | |
![]() | DF12(3.0)-30DS-0.5 | DF12(3.0)-30DS-0.5 HRS SMD | DF12(3.0)-30DS-0.5.pdf | |
![]() | T6846 | T6846 PIC SOP18 | T6846.pdf | |
![]() | ES87C51FA-24/528931 VER1.2.0 | ES87C51FA-24/528931 VER1.2.0 ORIGINAL SMD or Through Hole | ES87C51FA-24/528931 VER1.2.0.pdf | |
![]() | PT70145/11T | PT70145/11T TI TSOP20 | PT70145/11T.pdf | |
![]() | JC34063 | JC34063 ORIGINAL DIP-8 | JC34063.pdf | |
![]() | 2EJS | 2EJS ORIGINAL SOT23-6 | 2EJS.pdf |