창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-3N163-E3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 3N163,3N164 | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
PCN 조립/원산지 | SIL-062-2014-Rev-0 30/May/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 50mA(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 250옴 @ 100µA, 20V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 10µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3.5pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 375mW | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-206AF, TO-72-4 금속 캔 | |
공급 장치 패키지 | TO-72 | |
표준 포장 | 200 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 3N163-E3 | |
관련 링크 | 3N16, 3N163-E3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
SIT8008AI-81-XXE-49.733333T | OSC XO 49.733333MHZ OE | SIT8008AI-81-XXE-49.733333T.pdf | ||
C3843J | C3843J ORIGINAL SMD or Through Hole | C3843J.pdf | ||
RF250-040 | RF250-040 ORIGINAL 250V-40MA | RF250-040.pdf | ||
FB-G063 | FB-G063 NULL NULL | FB-G063.pdf | ||
LMS1587ISX-2.5 | LMS1587ISX-2.5 NS TO-263 | LMS1587ISX-2.5.pdf | ||
NCV8506D2T25 | NCV8506D2T25 ON TO263-7 | NCV8506D2T25.pdf | ||
XC95144PQ160AEM | XC95144PQ160AEM XILINX SMD or Through Hole | XC95144PQ160AEM.pdf | ||
BAM05-20153-0501 | BAM05-20153-0501 ORIGINAL SMD or Through Hole | BAM05-20153-0501.pdf | ||
CY7C1041D-10ZSXI KEMOTA | CY7C1041D-10ZSXI KEMOTA CYPRESS SOP | CY7C1041D-10ZSXI KEMOTA.pdf | ||
R75PD1180AA40K | R75PD1180AA40K Arcotronics DIP-2 | R75PD1180AA40K.pdf | ||
NRWP102M6.3V8 x 11.5F | NRWP102M6.3V8 x 11.5F NIC DIP | NRWP102M6.3V8 x 11.5F.pdf |