창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-3N163-2 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 3N163,3N164 | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 50mA(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 250옴 @ 100µA, 20V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 10µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3.5pF @ 15V | |
| 전력 - 최대 | 375mW | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-206AF, TO-72-4 금속 캔 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-72 | |
| 표준 포장 | 20 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 3N163-2 | |
| 관련 링크 | 3N16, 3N163-2 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | VJ0805D241GLXAR | 240pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D241GLXAR.pdf | |
![]() | B32796E4106K | 10µF Film Capacitor 400V 1050V (1.05kV) Polypropylene (PP), Metallized Radial 1.654" L x 1.102" W (42.00mm x 28.00mm) | B32796E4106K.pdf | |
![]() | RR0510P-9760-D | RES SMD 976 OHM 0.5% 1/16W 0402 | RR0510P-9760-D.pdf | |
![]() | XC5VLX330-2FFG1760C | XC5VLX330-2FFG1760C XILINX SMD or Through Hole | XC5VLX330-2FFG1760C.pdf | |
![]() | BQ24703RHD | BQ24703RHD TI QFN28 | BQ24703RHD.pdf | |
![]() | DS2434S-TR | DS2434S-TR DALLAS SSOP | DS2434S-TR.pdf | |
![]() | CS3770J | CS3770J Cherry SMD or Through Hole | CS3770J.pdf | |
![]() | LCN1206T-R10J-N | LCN1206T-R10J-N YAGEO SMD | LCN1206T-R10J-N.pdf | |
![]() | JVR10N821K87YRW | JVR10N821K87YRW JOYIN Call | JVR10N821K87YRW.pdf | |
![]() | LT1317BCMS8 LTHB | LT1317BCMS8 LTHB LINEAR SMD or Through Hole | LT1317BCMS8 LTHB.pdf | |
![]() | ERA2AEB113X | ERA2AEB113X panasonic SMD | ERA2AEB113X.pdf | |
![]() | RN73E2AT8250B | RN73E2AT8250B KOA SMD | RN73E2AT8250B.pdf |