창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-3N163-2 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 3N163,3N164 | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 50mA(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 250옴 @ 100µA, 20V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 10µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3.5pF @ 15V | |
| 전력 - 최대 | 375mW | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-206AF, TO-72-4 금속 캔 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-72 | |
| 표준 포장 | 20 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 3N163-2 | |
| 관련 링크 | 3N16, 3N163-2 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | RM 10A | DIODE GEN PURP 600V 1.2A AXIAL | RM 10A.pdf | |
![]() | AD848JQ | AD848JQ AD DIP | AD848JQ.pdf | |
![]() | KRC107M-AT | KRC107M-AT KEC TO-92S | KRC107M-AT.pdf | |
![]() | IM4A3192/96-10VC-12VI | IM4A3192/96-10VC-12VI LATTICE SMD or Through Hole | IM4A3192/96-10VC-12VI.pdf | |
![]() | LM129H/883 | LM129H/883 NS CAN | LM129H/883.pdf | |
![]() | PEB3265 HV1.3 | PEB3265 HV1.3 INFINEON QFP | PEB3265 HV1.3.pdf | |
![]() | T8M1A105ASSR | T8M1A105ASSR ORIGINAL SMD or Through Hole | T8M1A105ASSR.pdf | |
![]() | 106-632601 | 106-632601 ORIGINAL QFP80 | 106-632601.pdf | |
![]() | RC1206JR-10750RL | RC1206JR-10750RL YAGEO Call | RC1206JR-10750RL.pdf | |
![]() | 749831-7 | 749831-7 AMP/TYCO AMP | 749831-7.pdf | |
![]() | IRKL196-08 | IRKL196-08 IR SMD or Through Hole | IRKL196-08.pdf |