창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-3LP01M-TL-H | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 3LP01M | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트, 2.5V 구동 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 100mA(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 10.4옴 @ 50mA, 4V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | - | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 1.43nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 7.5pF @ 10V | |
| 전력 - 최대 | 150mW | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SC-70, SOT-323 | |
| 공급 장치 패키지 | 3-MCP | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | 3LP01M-TL-H-ND 3LP01M-TL-HOSTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 3LP01M-TL-H | |
| 관련 링크 | 3LP01M, 3LP01M-TL-H 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | 416F27122CTR | 27.12MHz ±20ppm 수정 6pF 200옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F27122CTR.pdf | |
![]() | TNPW1206180KBETA | RES SMD 180K OHM 0.1% 1/4W 1206 | TNPW1206180KBETA.pdf | |
![]() | CMF60113K86DHEB | RES 113.86K OHM 1W 0.5% AXIAL | CMF60113K86DHEB.pdf | |
![]() | CB15JB24R0 | RES 24 OHM 15W 5% CERAMIC WW | CB15JB24R0.pdf | |
![]() | WRB05CKS15-1W | WRB05CKS15-1W MICRODC SIP | WRB05CKS15-1W.pdf | |
![]() | TEPSLB20J107M(35)8R | TEPSLB20J107M(35)8R ORIGINAL SMD or Through Hole | TEPSLB20J107M(35)8R.pdf | |
![]() | STF203-33 | STF203-33 SEMTECH SC70-6 | STF203-33.pdf | |
![]() | H5111NL | H5111NL PUSLE SMD or Through Hole | H5111NL.pdf | |
![]() | MRFE6S9200 | MRFE6S9200 FSL SMD | MRFE6S9200.pdf | |
![]() | ISP51124TI | ISP51124TI INTERSIL QFN | ISP51124TI.pdf | |
![]() | IP112 | IP112 IPUS QFP128 | IP112.pdf | |
![]() | GB042-40P-H10- | GB042-40P-H10- LS SMD or Through Hole | GB042-40P-H10-.pdf |