ON Semiconductor 3LP01M-TL-E

3LP01M-TL-E
제조업체 부품 번호
3LP01M-TL-E
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET P-CH 30V 0.1A
데이터 시트 다운로드
다운로드
3LP01M-TL-E 가격 및 조달

가능 수량

8550 조각

배송 오늘


창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 113.42067
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 3LP01M-TL-E 재고가 있습니다. 우리는 ON Semiconductor 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 ON Semiconductor 전자 부품 전문. 3LP01M-TL-E 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. 3LP01M-TL-E가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
3LP01M-TL-E 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
3LP01M-TL-E 매개 변수
내부 부품 번호EIS-3LP01M-TL-E
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서3LP01M
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체ON Semiconductor
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형MOSFET P-Chan, 금속 산화물
FET 특징논리 레벨 게이트, 2.5V 구동
드레인 - 소스 전압(Vdss)30V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C100mA(Ta)
Rds On(최대) @ Id, Vgs10.4옴 @ 50mA, 4V
Id 기준 Vgs(th)(최대)-
게이트 전하(Qg) @ Vgs1.43nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds7.5pF @ 10V
전력 - 최대150mW
작동 온도150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스SC-70, SOT-323
공급 장치 패키지3-MCP
표준 포장 3,000
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)3LP01M-TL-E
관련 링크3LP01M, 3LP01M-TL-E 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통
3LP01M-TL-E 의 관련 제품
8pF 250V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) GQM2195C2E8R0BB12D.pdf
40MHz ±10ppm 수정 6pF 100옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) 416F40013CTT.pdf
RES SMD 0.16 OHM 5% 1/2W 1206 CRM1206-JX-R160ELF.pdf
RES 1.16 OHM 13W 10% AXIAL CW0101R160KE123.pdf
12197-508-XTP AMIS PLCC28 12197-508-XTP.pdf
ERF22X6C2H100JD01L MURATA SMD ERF22X6C2H100JD01L.pdf
LM336 NS DIP LM336.pdf
AP66T-02L ORIGINAL TO-92 AP66T-02L.pdf
FGA15N120ANTDTU_F019 FAIRCHILD SMD or Through Hole FGA15N120ANTDTU_F019.pdf
IDT72235-LB10PF IDT TQFP-64 IDT72235-LB10PF.pdf
EKRE160ETD4R7MD05D Chemi-con NA EKRE160ETD4R7MD05D.pdf