창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-3EZ91D10E3/TR12 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 3EZ3.9D5-3EZ200D5,e3 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 91V | |
| 허용 오차 | ±10% | |
| 전력 - 최대 | 3W | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 115옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 500nA @ 69.2V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
| 표준 포장 | 4,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 3EZ91D10E3/TR12 | |
| 관련 링크 | 3EZ91D10E, 3EZ91D10E3/TR12 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | 170M5990 | FUSE 800A 1000V 2TN/110 AR UR | 170M5990.pdf | |
![]() | FR85B05 | DIODE GEN PURP 100V 85A DO5 | FR85B05.pdf | |
![]() | S5MKB029 | S5MKB029 ORIGINAL SMD or Through Hole | S5MKB029.pdf | |
![]() | ISPGAL22V10AB-5LNNI | ISPGAL22V10AB-5LNNI Lattice QFN32 | ISPGAL22V10AB-5LNNI.pdf | |
![]() | MMST5551 | MMST5551 ON SMD or Through Hole | MMST5551.pdf | |
![]() | 100HF40 | 100HF40 IR DO-9 | 100HF40.pdf | |
![]() | 2SD1964 | 2SD1964 ROHM TO-220F | 2SD1964.pdf | |
![]() | MC-S20T180NO-F | MC-S20T180NO-F XG DIP | MC-S20T180NO-F.pdf | |
![]() | GB4G04-LP | GB4G04-LP ORIGINAL SOP24 | GB4G04-LP.pdf | |
![]() | T649N | T649N EUPEC SMD or Through Hole | T649N.pdf | |
![]() | Z7-S6-1 | Z7-S6-1 LEVELONE DIP | Z7-S6-1.pdf | |
![]() | P0770.333T | P0770.333T PULSE SOP | P0770.333T.pdf |