창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-3EZ9.1D5/TR12 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 3EZ3.9D5-3EZ200D5,e3 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 9.1V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 3W | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 2.5옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 3µA @ 7V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
| 표준 포장 | 4,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 3EZ9.1D5/TR12 | |
| 관련 링크 | 3EZ9.1D, 3EZ9.1D5/TR12 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | BBY5803WE6327HTSA1 | DIODE TUNING 10V 20MA SOD-323 | BBY5803WE6327HTSA1.pdf | |
![]() | DMN63D8LDWQ-7 | MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363 | DMN63D8LDWQ-7.pdf | |
![]() | RT0805WRC072K2L | RES SMD 2.2K OHM 0.05% 1/8W 0805 | RT0805WRC072K2L.pdf | |
![]() | CRCW080580K6DHEAP | RES SMD 80.6K OHM 0.5% 1/8W 0805 | CRCW080580K6DHEAP.pdf | |
![]() | AR09217-S1N | AR09217-S1N FOXCONN SMD or Through Hole | AR09217-S1N.pdf | |
![]() | SST39LF010-45-4C-M | SST39LF010-45-4C-M SST WFBGA-34 | SST39LF010-45-4C-M.pdf | |
![]() | RH2D106M1012MBB190 | RH2D106M1012MBB190 SAMWHA SMD or Through Hole | RH2D106M1012MBB190.pdf | |
![]() | JR21RK-10P | JR21RK-10P ORIGINAL SMD or Through Hole | JR21RK-10P.pdf | |
![]() | 32F105RBT6 | 32F105RBT6 STM SMD or Through Hole | 32F105RBT6.pdf | |
![]() | 0603 15K F | 0603 15K F TASUND SMD or Through Hole | 0603 15K F.pdf | |
![]() | TC5118160CJS-60 | TC5118160CJS-60 TOSHIBA SOJ | TC5118160CJS-60.pdf | |
![]() | TDK212BJ106KG-T | TDK212BJ106KG-T ORIGINAL PBFree | TDK212BJ106KG-T.pdf |