창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-3EZ9.1D2E3/TR12 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 3EZ3.9D5-3EZ200D5,e3 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 9.1V | |
허용 오차 | ±2% | |
전력 - 최대 | 3W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 2.5옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 3µA @ 7V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
표준 포장 | 4,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 3EZ9.1D2E3/TR12 | |
관련 링크 | 3EZ9.1D2E, 3EZ9.1D2E3/TR12 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
![]() | 416F50022ILR | 50MHz ±20ppm 수정 12pF 100옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F50022ILR.pdf | |
![]() | S3B-E3/9AT | DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB | S3B-E3/9AT.pdf | |
![]() | 5022R-301F | 300nH Unshielded Inductor 2.14A 80 mOhm Max 2-SMD | 5022R-301F.pdf | |
EWT50JB1K50 | RES CHAS MNT 1.5K OHM 5% 50W | EWT50JB1K50.pdf | ||
![]() | MCA12060F2491BP100 | RES SMD 2.49K OHM 0.1% 1/4W 1206 | MCA12060F2491BP100.pdf | |
![]() | SFR25H0001788FR500 | RES 1.78 OHM 1/2W 1% AXIAL | SFR25H0001788FR500.pdf | |
![]() | RFP40N10_NL | RFP40N10_NL Fairchild SMD or Through Hole | RFP40N10_NL.pdf | |
![]() | TLC61511 | TLC61511 TI SOP8 | TLC61511.pdf | |
![]() | MM58348N | MM58348N NS DIP40 | MM58348N.pdf | |
![]() | S3C1850DH9SK91 | S3C1850DH9SK91 SAMSUNG SOP7.2 | S3C1850DH9SK91.pdf | |
![]() | LPT-4545-A032 | LPT-4545-A032 DALE SMD or Through Hole | LPT-4545-A032.pdf |