창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-3EZ9.1D2E3/TR12 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 3EZ3.9D5-3EZ200D5,e3 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 9.1V | |
| 허용 오차 | ±2% | |
| 전력 - 최대 | 3W | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 2.5옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 3µA @ 7V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
| 표준 포장 | 4,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 3EZ9.1D2E3/TR12 | |
| 관련 링크 | 3EZ9.1D2E, 3EZ9.1D2E3/TR12 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | VJ0402D5R1BXCAP | 5.1pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.040" L x 0.020" W(1.02mm x 0.51mm) | VJ0402D5R1BXCAP.pdf | |
![]() | SED5031C0A | SED5031C0A EPSON DIP-28 | SED5031C0A.pdf | |
![]() | SM42H-18-27.0M | SM42H-18-27.0M PLETRONICS SMD | SM42H-18-27.0M.pdf | |
![]() | M27C2001-70C6 | M27C2001-70C6 ST SMD or Through Hole | M27C2001-70C6.pdf | |
![]() | RD13P | RD13P NEC SOT89 | RD13P.pdf | |
![]() | L-913L | L-913L NS DIP | L-913L.pdf | |
![]() | LVCU04 | LVCU04 ORIGINAL TSSOP | LVCU04.pdf | |
![]() | DC51222-1 | DC51222-1 ITT SMD or Through Hole | DC51222-1.pdf | |
![]() | XP1214/9H | XP1214/9H PANAS SMD or Through Hole | XP1214/9H.pdf | |
![]() | CX866B | CX866B SONY DIP-28 | CX866B.pdf | |
![]() | SWEL2012L3R3KTF | SWEL2012L3R3KTF WELL 0805-3R3K | SWEL2012L3R3KTF.pdf | |
![]() | R3117K151C-TR | R3117K151C-TR RICOH SMD or Through Hole | R3117K151C-TR.pdf |