창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-3EZ82D5E3/TR8 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 3EZ3.9D5-3EZ200D5,e3 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 82V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 3W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 95옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 500nA @ 62.2V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
표준 포장 | 1,500 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 3EZ82D5E3/TR8 | |
관련 링크 | 3EZ82D5, 3EZ82D5E3/TR8 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
![]() | ATS32ASM-1E | 32MHz ±30ppm 수정 20pF 80옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | ATS32ASM-1E.pdf | |
![]() | R7201609XXOO | DIODE MODULE 1.6KV 900A DO200AB | R7201609XXOO.pdf | |
![]() | CM6350R-334 | 330µH @ 10kHz 2 Line Common Mode Choke Surface Mount 1.8A DCR 40 mOhm | CM6350R-334.pdf | |
![]() | 2310-V-RC | 56µH Unshielded Toroidal Inductor 10.2A 17 mOhm Max Radial | 2310-V-RC.pdf | |
![]() | 1641R-471H | 470nH Shielded Molded Inductor 580mA 250 mOhm Max Axial | 1641R-471H.pdf | |
![]() | CRGH1206F8K06 | RES SMD 8.06K OHM 1% 1/2W 1206 | CRGH1206F8K06.pdf | |
![]() | 22025N | 22025N ORIGINAL NEW | 22025N.pdf | |
![]() | RF3100-3K | RF3100-3K RFMD QFN | RF3100-3K.pdf | |
![]() | CLY5 TEL:82766440 | CLY5 TEL:82766440 SIEMENS SOT223 | CLY5 TEL:82766440.pdf | |
![]() | HBAT-5402-T | HBAT-5402-T AVAGO SMD or Through Hole | HBAT-5402-T.pdf | |
![]() | 5.80000.033 | 5.80000.033 rafi SMD or Through Hole | 5.80000.033.pdf |