창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-3EZ8.2D5/TR8 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 3EZ3.9D5-3EZ200D5,e3 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 8.2V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 3W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 2.3옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 5µA @ 6V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
표준 포장 | 1,500 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 3EZ8.2D5/TR8 | |
관련 링크 | 3EZ8.2D, 3EZ8.2D5/TR8 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
PMBT9015C | PMBT9015C PHI SOT-23 | PMBT9015C.pdf | ||
IDH26PK2S3 | IDH26PK2S3 RN SMD or Through Hole | IDH26PK2S3.pdf | ||
S5H2010A | S5H2010A SAMSUNG BGA | S5H2010A.pdf | ||
CD74HCT652M * | CD74HCT652M * TIS Call | CD74HCT652M *.pdf | ||
SC11330CN | SC11330CN SEMTECH DIP16 | SC11330CN.pdf | ||
B130LAW-7 (SX) | B130LAW-7 (SX) DIODES 1206 | B130LAW-7 (SX).pdf | ||
LAT-63V272MS25 | LAT-63V272MS25 ELNA DIP | LAT-63V272MS25.pdf | ||
DP241-5-20A24 | DP241-5-20A24 Pulse 20 VACCT 600mA | DP241-5-20A24.pdf | ||
SNC54LS173AJ | SNC54LS173AJ TI CDIP16 | SNC54LS173AJ.pdf | ||
PIC18F452-I/TP | PIC18F452-I/TP MICRONAS TQFP44 | PIC18F452-I/TP.pdf | ||
GB-332GD | GB-332GD LUCKYLIGHT SMD or Through Hole | GB-332GD.pdf |