창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-3EZ8.2D2E3/TR12 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 3EZ3.9D5-3EZ200D5,e3 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 8.2V | |
허용 오차 | ±2% | |
전력 - 최대 | 3W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 2.3옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 5µA @ 6V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
표준 포장 | 4,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 3EZ8.2D2E3/TR12 | |
관련 링크 | 3EZ8.2D2E, 3EZ8.2D2E3/TR12 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
![]() | IXGH72N60B3 | IGBT 600V 75A 540W TO247 | IXGH72N60B3.pdf | |
![]() | NRD336M16R12 | NRD336M16R12 NEC D | NRD336M16R12.pdf | |
![]() | 0603N3R3C500 | 0603N3R3C500 ORIGINAL SMD0603 | 0603N3R3C500.pdf | |
![]() | 39SF020-90-4C-NH | 39SF020-90-4C-NH SST PLCC-32 | 39SF020-90-4C-NH.pdf | |
![]() | IRF6618TR | IRF6618TR IOR QFN | IRF6618TR.pdf | |
![]() | CA10715_BOOM-S | CA10715_BOOM-S LEDIL SMD or Through Hole | CA10715_BOOM-S.pdf | |
![]() | PART NO.0BL-HY336-RB-TRB | PART NO.0BL-HY336-RB-TRB SANJIN SMD | PART NO.0BL-HY336-RB-TRB.pdf | |
![]() | LE50ACZ$W3 | LE50ACZ$W3 ST TO-92 | LE50ACZ$W3.pdf | |
![]() | S3C2410BGA | S3C2410BGA ORIGINAL SMD or Through Hole | S3C2410BGA.pdf | |
![]() | BL2205 | BL2205 B-LINK QFN40 | BL2205.pdf | |
![]() | LM311AH/883C | LM311AH/883C NS SMD or Through Hole | LM311AH/883C.pdf |