창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-3EZ8.2D10/TR12 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 3EZ3.9D5-3EZ200D5,e3 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 8.2V | |
| 허용 오차 | ±10% | |
| 전력 - 최대 | 3W | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 2.3옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 5µA @ 6V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
| 표준 포장 | 4,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 3EZ8.2D10/TR12 | |
| 관련 링크 | 3EZ8.2D1, 3EZ8.2D10/TR12 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | 2534R-58J | 27mH Unshielded Molded Inductor 29mA 195 Ohm Max Radial | 2534R-58J.pdf | |
![]() | SD200-13-23-242 | Photodiode 660nm 13ns 95° | SD200-13-23-242.pdf | |
![]() | 22uf4VS | 22uf4VS avetron SMD or Through Hole | 22uf4VS.pdf | |
![]() | 13MHZ/NH21M13LA | 13MHZ/NH21M13LA NDK SMD or Through Hole | 13MHZ/NH21M13LA.pdf | |
![]() | ECST1AD476R | ECST1AD476R PAN 10V47 | ECST1AD476R.pdf | |
![]() | C5148 | C5148 TOS TO-3P | C5148.pdf | |
![]() | LM236M-5.0 | LM236M-5.0 NSC SOP | LM236M-5.0.pdf | |
![]() | D1340-3.3 | D1340-3.3 N/A SOP-8 | D1340-3.3.pdf | |
![]() | DAC337B18 | DAC337B18 SIPEX DIP | DAC337B18.pdf | |
![]() | XCV1000ETBGT28 | XCV1000ETBGT28 XILINX QFP | XCV1000ETBGT28.pdf | |
![]() | GME-4.5A | GME-4.5A Conquer SMD or Through Hole | GME-4.5A.pdf | |
![]() | GRM155R61A274K**** | GRM155R61A274K**** N/A N A | GRM155R61A274K****.pdf |