창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-3EZ8.2D10/TR12 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 3EZ3.9D5-3EZ200D5,e3 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 8.2V | |
| 허용 오차 | ±10% | |
| 전력 - 최대 | 3W | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 2.3옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 5µA @ 6V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
| 표준 포장 | 4,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 3EZ8.2D10/TR12 | |
| 관련 링크 | 3EZ8.2D1, 3EZ8.2D10/TR12 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | LPW103M1VQ30V-W | 10000µF 35V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 58 mOhm @ 120Hz 1000 Hrs @ 85°C | LPW103M1VQ30V-W.pdf | |
![]() | ASPI-2010-4R7M-T | 4.7µH Shielded Wirewound Inductor 820mA 479 mOhm Max Nonstandard | ASPI-2010-4R7M-T.pdf | |
![]() | P51-75-G-AF-D-4.5OVP-000-000 | Pressure Sensor 75 PSI (517.11 kPa) Vented Gauge Male - 9/16" (14.29mm) UNF 0.5 V ~ 4.5 V Cylinder | P51-75-G-AF-D-4.5OVP-000-000.pdf | |
![]() | LT1027CCN8 | LT1027CCN8 LTC DIP8 | LT1027CCN8.pdf | |
![]() | MT58L256L32P5-7.5 | MT58L256L32P5-7.5 MT TSOP | MT58L256L32P5-7.5.pdf | |
![]() | NHQM272B410R5 | NHQM272B410R5 GE SMD | NHQM272B410R5.pdf | |
![]() | LM2734YQMKE | LM2734YQMKE NS TSOT-6 | LM2734YQMKE.pdf | |
![]() | BYQ28-200E | BYQ28-200E PH TO-220 | BYQ28-200E.pdf | |
![]() | 19.2MHZ(553S241920 | 19.2MHZ(553S241920 ORIGINAL 2.5X4-4P | 19.2MHZ(553S241920.pdf | |
![]() | EE2-3 | EE2-3 NEC SMD or Through Hole | EE2-3.pdf | |
![]() | SK36-E3 | SK36-E3 ORIGINAL DO214AB | SK36-E3.pdf | |
![]() | RT9284B-20J6 | RT9284B-20J6 RTCHTEK SOT-163 | RT9284B-20J6.pdf |