창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-3EZ75D10E3/TR12 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 3EZ3.9D5-3EZ200D5,e3 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 75V | |
허용 오차 | ±10% | |
전력 - 최대 | 3W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 85옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 500nA @ 56V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
표준 포장 | 4,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 3EZ75D10E3/TR12 | |
관련 링크 | 3EZ75D10E, 3EZ75D10E3/TR12 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
![]() | VFT3080C-M3/4W | DIODE SCHOTTKY 30A 80V ITO-220AB | VFT3080C-M3/4W.pdf | |
![]() | ORNTA4991CT1 | RES ARRAY 4 RES 4.99K OHM 8SOIC | ORNTA4991CT1.pdf | |
![]() | CMF5021K500FEEA | RES 21.5K OHM 1/4W 1% AXIAL | CMF5021K500FEEA.pdf | |
![]() | CW0101K800JE12 | RES 1.8K OHM 13W 5% AXIAL | CW0101K800JE12.pdf | |
![]() | IDT5T2010NLGI8 | IDT5T2010NLGI8 IDT SMD or Through Hole | IDT5T2010NLGI8.pdf | |
![]() | 25AA320J/P | 25AA320J/P MICROCHIP DIP8 | 25AA320J/P.pdf | |
![]() | P-1334B-CTC(50) | P-1334B-CTC(50) HRS SMD or Through Hole | P-1334B-CTC(50).pdf | |
![]() | 6MBP75RA120-01 | 6MBP75RA120-01 FUJI SMD or Through Hole | 6MBP75RA120-01.pdf | |
![]() | M29F800FB5AM6F2 | M29F800FB5AM6F2 Numonyx TBGA | M29F800FB5AM6F2.pdf | |
![]() | PIC12C67104/SM | PIC12C67104/SM ORIGINAL SMD or Through Hole | PIC12C67104/SM.pdf | |
![]() | ADAM42P-1108G | ADAM42P-1108G ORIGINAL SMD or Through Hole | ADAM42P-1108G.pdf |