창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-3EZ75D/TR12 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 3EZ3.9D5-3EZ200D5,e3 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 75V | |
| 허용 오차 | ±20% | |
| 전력 - 최대 | 3W | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 85옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 500nA @ 56V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
| 표준 포장 | 4,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 3EZ75D/TR12 | |
| 관련 링크 | 3EZ75D, 3EZ75D/TR12 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | LP061F33CDT | 6.144MHz ±30ppm 수정 18pF 80옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | LP061F33CDT.pdf | |
![]() | ASTMHTFL-48.000MHZ-XC-E-T | 48MHz LVCMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 2.25 V ~ 3.63 V Enable/Disable | ASTMHTFL-48.000MHZ-XC-E-T.pdf | |
![]() | LTC1757A1EMS8 | LTC1757A1EMS8 LT MSOP | LTC1757A1EMS8.pdf | |
![]() | HMC803 390 | HMC803 390 YAZAKI QFP | HMC803 390.pdf | |
![]() | XHP-3-Y | XHP-3-Y JST ROHS | XHP-3-Y.pdf | |
![]() | H9TKNNN2GDAPLR-NDM | H9TKNNN2GDAPLR-NDM HynixSemiconducto SMD or Through Hole | H9TKNNN2GDAPLR-NDM.pdf | |
![]() | 216-0752001 RS880M | 216-0752001 RS880M AMD SMD or Through Hole | 216-0752001 RS880M.pdf | |
![]() | MCP6V26T-E/MS | MCP6V26T-E/MS Microchip MSOP-8 | MCP6V26T-E/MS.pdf | |
![]() | rec115l9e5 | rec115l9e5 vishay SMD or Through Hole | rec115l9e5.pdf | |
![]() | HHV1WSGT-73-200M | HHV1WSGT-73-200M YAGEO DIP | HHV1WSGT-73-200M.pdf | |
![]() | MLG0603Q2N9BT000 | MLG0603Q2N9BT000 TDK SMD or Through Hole | MLG0603Q2N9BT000.pdf | |
![]() | THD15-4811 | THD15-4811 TRACO N A | THD15-4811.pdf |