창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-3EZ7.5D10/TR12 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 3EZ3.9D5-3EZ200D5,e3 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 7.5V | |
| 허용 오차 | ±10% | |
| 전력 - 최대 | 3W | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 2옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 5µA @ 5V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
| 표준 포장 | 4,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 3EZ7.5D10/TR12 | |
| 관련 링크 | 3EZ7.5D1, 3EZ7.5D10/TR12 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | VJ1812A151JBLAT4X | 150pF 630V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1812(4532 미터법) 0.183" L x 0.126" W(4.65mm x 3.20mm) | VJ1812A151JBLAT4X.pdf | |
![]() | MKP385312100JD02G0 | 0.012µF Film Capacitor 350V 1000V (1kV) Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.492" L x 0.236" W (12.50mm x 6.00mm) | MKP385312100JD02G0.pdf | |
![]() | CC4825E2URH | Solid State Relay DPST (2 Form A) Hockey Puck | CC4825E2URH.pdf | |
![]() | RG2012P-2553-B-T5 | RES SMD 255K OHM 0.1% 1/8W 0805 | RG2012P-2553-B-T5.pdf | |
![]() | ATS693LSGTN-RSNYPH-T | IC HALL EFFECT SENSOR 4SIP | ATS693LSGTN-RSNYPH-T.pdf | |
![]() | P51-50-S-AA-D-5V-000-000 | Pressure Sensor 50 PSI (344.74 kPa) Sealed Gauge Male - 7/16" (11.11mm) UNF 1 V ~ 5 V Cylinder | P51-50-S-AA-D-5V-000-000.pdf | |
![]() | 2SC2098 | 2SC2098 NEC TO-3P | 2SC2098.pdf | |
![]() | MBM29PL32BM90TN-K-A5E1 | MBM29PL32BM90TN-K-A5E1 FUJITSU TSSOP | MBM29PL32BM90TN-K-A5E1.pdf | |
![]() | HCP3062 | HCP3062 ORIGINAL DIP6 | HCP3062.pdf | |
![]() | JBXFD3G18FCSDSMR | JBXFD3G18FCSDSMR FCI con | JBXFD3G18FCSDSMR.pdf | |
![]() | AFP02N8-213 | AFP02N8-213 Skyworks SMD or Through Hole | AFP02N8-213.pdf |